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SiC CJFET資訊

SiC MOSFET的并聯設計要點

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSF...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-22

溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優解

對于我國的電力電子界來說,固態變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網合環運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經的商業化之路面對的挑戰大于機遇...

英飛凌溝槽柵 2026-04-22

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結 MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優異的材料特性,在服務器、工業電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構電源設計邏輯出發,剖析其在工業與服務器電源場景的應用價值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22

Vishay推出適用于GaN和SiC開關應用EMI濾波的新型航天級共模扼流圈

美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型航天級表面貼裝共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討

在設計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級...

英飛凌 SiC 2026-04-09

英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設計要點

在新能源革命與工業數字化的浪潮中，功率半導體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉換系統的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領域的技術積淀，推出了CoolSiC? MOSFET...

英飛凌 SiC 2026-04-09

SiC CJFET專欄

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SiC CJFET資料

SiC CJFET論壇

07-25 11種封裝的國產碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產品介紹應用

Ewyas|瀏覽：1869|回復：3| Ewyas 2025-08-07 13:58:53

07-25 11種封裝的國產碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產品介紹應用

Ewyas|瀏覽：3539|回復：4| Ewyas 2025-08-07 13:59:06

07-07 碳化硅高速電機控制器設計及效能分析

Ewyas|瀏覽：975|回復：1| Ewyas 2025-07-24 08:59:12

04-15 麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項目問題

seving|瀏覽：1201|回復：0| seving 2025-04-15 14:47:21

06-18 六月盲盒，第四關：認識大功率、高性能汽車類SiC牽引逆變器

咔嚓貓愛刺魚|瀏覽：13473|回復：94| lihaiyan 2023-06-29 12:25:55

02-09 了解SiC器件的命名規則

睡夢中的雄師|瀏覽：1008|回復：0| 睡夢中的雄師 2023-02-09 09:37:03

10-24 SiC器件之外延層基礎知識

睡夢中的雄師|瀏覽：2044|回復：2| bwcx957 2022-10-24 07:37:21

07-21 一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的導通電阻差異特性

睡夢中的雄師|瀏覽：2087|回復：0| 睡夢中的雄師 2022-07-21 20:25:17

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再決勝負？中國AI人才正在改寫全球版圖

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RF54L15-DK測評代碼

時間：: +立即下載2026-04-21

普冉單片機py32f030移植rt-thread系統

時間：: +立即下載2026-04-18

基于frdm_mcxw71的溫濕度計-微信小程序

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恒流二極管NU506產品應用簡介

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