6月29日消息，據外媒報道，三星宣布，3nm制程技術已經正式流片。據介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能優于臺積電的3nm FinFET架構。

　　報道稱，三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構，而是采用GAA的結構。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。