據三星半導體消息，三星預計，在未來十年單顆SSD的容量可達1PB（一千萬億字節）。

三星表示，基于3D制造工藝的NAND閃存產品的數據存儲能力正在不斷提高，這種演變發生在物理縮放技術、邏輯縮放技術、32DIE堆疊封裝三個領域。

其中，物理縮放技術包括三種技術，分別為橫向/垂直收縮（一種減少每個存儲單元大小的方法）、垂直堆疊技術（一種添加更多WL堆棧的方法，從而增加內存單元的數量）、電池在外圍技術（一種減少硅面積的方法，把外圍電路放在存儲單元下面），用于提高性能和降低成本，以響應應用程序和系統處理需求的變化。

邏輯縮放技術，例如QLC技術——涉及到尋找在單個單元中存儲更多比特的方法，以便SSD可以保存更多的數據，同時保持輕便和緊湊。QLC技術可以使每個設備每個單元存儲4位，相比TLC存儲密度提高33%。

封裝技術是開發高容量產品的關鍵，三星已經有能力批量生產32Die堆疊封裝（32 die-stack packaging）。

三星通過上述3項技術，不斷探索高容量SSD，于2016年推出16TB的SSD，2017年推出32TB的SSD，2019年年末開發出64TB SSD，2021年開發出基于QLC的128TB原型SSD。

三星于2018年參與了智能SSD的的共同開發，并于2022年開始量產，2023年三星正與合作伙伴一起準備第二代智能SSD。

三星還預計，到2015年連接設備數將達到181ZB，這種爆發式的數據增長，需要更多、更大的數據中心。