5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發團隊，以量產4F2結構DRAM。

4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。

報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節點的情況下，與現有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。

4F2結構是大約10年前DRAM產業未能商業化的單元結構技術，據說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美光正在開發的3D DRAM相比，這種結構更容易實現。

The Elec報道指出，三星電子的目標是將4F2應用于10納米或以下節點的DRAM制程，因為以目前的技術預計會面臨線寬縮減的極限。