臺積電表示，已開始其最新2納米級工藝的芯片量產，標志著制造加速的開始，這將塑造2026年前沿產能規劃。這一更新在《日本時報》報道中得到了重點報道，也反映在臺積電自家工藝技術網站上的一份無日期聲明中。

2納米芯片斜坡：臺積電實際宣布的內容

臺積電在其“2納米技術”頁面上表示，其N2工藝“已于2025年第四季度開始量產”，并將N2定位為其第一代納米片（全地柵極）晶體管。同一話題中，公司還指出平臺還涉及封裝和PDN相關工作，如低阻值再分配層和高性能金屬絕緣金屬電容器。

公司還將Fab 20和Fab 22命名為其2納米生產設施。這很重要，因為“2納米”頭條往往是研發、風險生產和試點的模糊內容;在這里，公司明確描述了產量，并將其與具體地點關聯起來。

性能、功耗、密度及第一個GAA節點

從技術角度看，N2比常規收縮更重要，因為它是臺積電首次從FinFET（晶體場效應晶體）向全門納米片邁進。在實際作中，臺積電公布的目標（由 Tom's Hardware 根據臺積電資料總結）屬于常見的三位一體：在相同功率下性能提升約 10–15%，在相同性能下功率降低約 25–30%，同時混合設計相比 N3E 的密度提升約 15%（僅邏輯設計則有更高的數值）。

這些都不能保證任何單一客戶的最終產品收益——設計規則、庫、SRAM、IO組合和功耗輸出很快成為核心——但這也解釋了為何2納米芯片的提升被智能手機和高性能計算/人工智能硅片團隊密切關注，他們正在為下一輪重大平臺轉型做預算。

容量與時機：臺灣優先，更快的斜坡下一步

Tom's Hardware報道，初步產量似乎已從高雄的Fab 22開始，預計Fab 20將緊隨其后。報告還指出臺積電公開表示，2026年增長將加快，這得益于移動端和高性能計算/人工智能的需求。

早在2025年，路透社已描述臺積電高雄的擴張活動，并重申公司將繼續在臺灣擴大規模，同時平衡海外投資與客戶供應鏈預期。這一背景很重要，因為2納米芯片的斜坡不僅是一個工藝里程碑;這也是一項分配和地緣政治規劃的練習，面向那些越來越希望獲得第二來源選項——或至少是第二選擇——而不愿每個周期都重寫流程戰略的客戶。

超越第一代N2

臺積電的節奏不會止步于開頭的N2。Tom's Hardware還指出后續變體（包括N2P）和A16節點，量產時間將在2026年下半年討論。如果這些計劃持續下去，2026年將成為“首個2納米”故事轉變為“你能多快地擴展、調優和分配”故事，跨越多個產品類別。