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富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高......
韓國(guó)三星電子公司近日表示本月24日下午，其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時(shí)的斷電并沒有對(duì)其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著......
三星電子(Samsung Electronics)韓國(guó)器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤......
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(以下簡(jiǎn)稱“存儲(chǔ)聯(lián)盟”)理事長(zhǎng)王恩東今日就成立不久的存儲(chǔ)聯(lián)盟與外界溝通。王恩東表示，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立能夠讓存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)真正發(fā)出聲音，也能夠更好維權(quán)和推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 ......
根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長(zhǎng)有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換......
近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來(lái)，好光景來(lái)之不易，不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競(jìng)爭(zhēng)而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。 韓國(guó)三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表......
據(jù)外電報(bào)道，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)將對(duì)DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 英飛凌方面稱，爾必達(dá)制造并向美國(guó)進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英......
由美國(guó)美光公司投資3億美元建設(shè)的半導(dǎo)體新測(cè)試項(xiàng)目在西安高新區(qū)出口加工區(qū)B區(qū)開工建設(shè)，這也是美光公司繼2005年在西安高新區(qū)投資建設(shè)半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)基地以來(lái)的又一重大項(xiàng)目，建成后將成為包括固態(tài)硬盤、發(fā)光二極管、太陽(yáng)能......
海力士-恒憶半導(dǎo)體有限公司是江蘇最大的外商獨(dú)資項(xiàng)目，為解決該公司精密設(shè)備無(wú)震動(dòng)運(yùn)輸?shù)奶厥庖?，無(wú)錫海關(guān)創(chuàng)造性地推出“車載物流”監(jiān)管模式，5個(gè)月節(jié)約物流成本2000萬(wàn)元。 無(wú)錫海關(guān)相關(guān)負(fù)責(zé)......
由于ODM/OEM廠對(duì)第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動(dòng)IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商......
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