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三星 sdi 文章 最新資訊

三星代工的2nm驍龍8 Elite Gen5被砍，廠商無人問津

  • 知名博主數(shù)碼閑聊站透露，由三星代工的2nm制程版本驍龍8 Elite Gen5芯片已被取消，目前沒有任何廠商計劃采用這款芯片。高通于今年9月發(fā)布的驍龍8 Elite Gen5（型號為SM8850）由臺積電負(fù)責(zé)代工，采用臺積電3nm工藝制程。目前各大廠商推出的旗艦機型均搭載了這一版本的芯片。盡管三星也為驍龍8 Elite Gen5提供代工服務(wù)，采用其SF2（2nm制程）工藝，且套片報價低于臺積電3nm版本，但由于三星過往的工藝表現(xiàn)不佳，廠商對其持謹(jǐn)慎態(tài)度，導(dǎo)致該版本芯片無人采購。回顧歷史，三星曾代工過高通的
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因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋

  • 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場

  • 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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三星是否可以挑戰(zhàn)臺積電的統(tǒng)治力？

  • 埃隆·馬斯克 （Elon Musk） 在 X 上宣布，特斯拉正在與三星合作，幫助生產(chǎn)其定制人工智能芯片。這一發(fā)展似乎令人震驚，因為臺積電占據(jù)了全球芯片代工業(yè)務(wù)近 70% 的份額。雖然三星與特斯拉的合作代表著一次重大勝利，但關(guān)于這筆交易還有一些重要的細(xì)微差別需要理解。當(dāng)投資者想到半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭時，主導(dǎo)話題的通常名稱是英偉達(dá)、AMD和博通。這些公司負(fù)責(zé)設(shè)計高性能芯片和網(wǎng)絡(luò)硬件，以前所未有的規(guī)模為下一代數(shù)據(jù)中心提供動力。然而，在幕后更安靜地運營的是臺積電。雖然臺積電在人工智能 （AI） 芯片競賽中不如同行那么
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SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星

  • 存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
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三星、SK海力士股價飆升的原因:全球科技熱潮推動存儲芯片需求

  • 市場觀察人士周一表示，三星電子和SK海力士的股價在外國強勁的購買和全球科技繁榮的背景下飆升。這一表現(xiàn)反映了投資者情緒的更深層次轉(zhuǎn)變。信息技術(shù) （IT） 和半導(dǎo)體制造商的股價正在上漲，這得益于人工智能 （AI） 的大量投資導(dǎo)致的強勁盈利預(yù)測。尤其是三星電子的漲勢將保持強勁，這得益于摩根士丹利的一份報告建議增持，表明未來幾個月價格將進(jìn)一步上漲。這家全球投資銀行巨頭表示，三星股票是其首選，將其目標(biāo)價從之前的 96,000 韓元上調(diào)至 69 韓元（86,000 美元）。該公司在最新報告中表示，IT 行業(yè)將面臨“一
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三星存儲業(yè)務(wù)注入強心劑：12層HBM3E通過英偉達(dá)認(rèn)證

  • 據(jù)韓國媒體最新報道，三星第五代12層HBM3E產(chǎn)品通過了英偉達(dá)的認(rèn)證測試，成功進(jìn)入其供應(yīng)鏈體系，這一重大突破對三星意義非凡。隨著其技術(shù)實力獲英偉達(dá)認(rèn)可，這家韓國巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢，未來HBM市場的技術(shù)競爭料將更趨白熱化。三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過去一直是全球最大的DRAM廠商，但是卻由于在HBM競爭中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過英偉達(dá)的認(rèn)證花費了約18個月，去年2月三星向英偉達(dá)提供首批12層HBM3E芯片樣品測試，期間曾多次嘗試達(dá)到英偉達(dá)嚴(yán)苛的
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三星HBM3E熬18個月終獲英偉達(dá)認(rèn)證

  • 南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競爭賽道上落后于主要競爭對手SK海力士以及美光。 但據(jù)韓媒報道，如今總算有好消息傳出！ 三星第5代12層高帶寬內(nèi)存HBM3E產(chǎn)品終于通過英偉達(dá)質(zhì)量驗證測試。 此一進(jìn)展不僅象征三星在HBM技術(shù)上的突破，也可能改寫其在高端存儲器市場的競爭格局。據(jù)韓媒《Business Korea》與《韓國經(jīng)濟(jì)日報》（The Korea Economic Daily）報導(dǎo)，三星從完成HBM3E 12層芯片的開發(fā)，歷經(jīng)多次英偉達(dá)性能測試失敗，到最終通過認(rèn)證，整整耗時18個月，成為繼SK
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三星據(jù)報道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)

  • 根據(jù) The Elec 報道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關(guān)重要的組件。報道稱，三星據(jù)說正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。本月早些時候，三星據(jù)報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預(yù)計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認(rèn)為它們泄露技術(shù)的
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三星泰勒工廠將獲得2.5億美元的贈款

  • 德克薩斯州泰勒 - 州長格雷格·阿博特(Greg Abbott)周三宣布,三星將從該州獲得2.5億美元,用于泰勒的新工廠。這筆資金來自德克薩斯州半導(dǎo)體創(chuàng)新基金,該基金于2023年成立,旨在維持該州在半導(dǎo)體研究,設(shè)計和制造中的作用。阿博特表示,三星通過在新設(shè)施上投資超過40億美元來實現(xiàn)這一目標(biāo)。半導(dǎo)體芯片用于從手機到汽車等技術(shù)。“德克薩斯州是技術(shù)和創(chuàng)新未來的發(fā)源地,”阿博特在周三的新聞發(fā)布會上說。“三星在德克薩斯州投資了約400億美元,正在幫助鞏固德克薩斯州作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)先州的地位,為德克薩斯州社區(qū)帶來更
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三星現(xiàn)在將為以色列公司生產(chǎn)汽車芯片

  • 三星正在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域卷土重來。繼推出首款 3nm 智能手機芯片 Exynos 2500 后，三星獲得了重大交易。其中包括蘋果的相機傳感器合同和特斯拉的 2nm AI 芯片合同。現(xiàn)在，三星已經(jīng)與一家以色列汽車芯片公司簽訂了另一份芯片合同。三星將為瓦倫斯制造汽車半導(dǎo)體芯片Valens Semiconductor 宣布已與三星電子合作開發(fā)下一代 MIPI A-PHY 標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)用于各種汽車電子設(shè)備的高速連接，例如 ADAS、ADS、攝像頭、顯示器、ECU 和其他傳感器。這一開發(fā)是針對全球
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三星泰勒廠面臨簽證難題，恐影響2026年投產(chǎn)計劃

  • 日前，LGES與現(xiàn)代汽車合資的電池工廠在美國格魯吉亞州遭美國國安與移民部門突襲查緝，導(dǎo)致300多名韓籍員工被拘留。這一事件引發(fā)韓國半導(dǎo)體業(yè)界的高度關(guān)注，尤其是三星位于德州泰勒市的半導(dǎo)體工廠，其簽證問題也成為焦點。據(jù)韓媒《中央日報》和《Money Today》報道，三星泰勒廠計劃于2026年正式投產(chǎn)，但簽證問題可能影響這一目標(biāo)。美國自2025年6月起將禁止使用電子旅行授權(quán)系統(tǒng)（ESTA）出差，這使得韓國相關(guān)設(shè)備廠商的人員派遣面臨挑戰(zhàn)。三星已要求前往德州奧斯汀的出差人員若停留超過30天需申請L-1簽證，而德州
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長江存儲加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元

  • 現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊成立，注冊資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司由長江存儲科技有限責(zé)任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元；湖北長
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美國政府考慮為三星和 SK 海力士向其中國晶圓廠供應(yīng)設(shè)備發(fā)放年度許可證

  • 據(jù)《彭博社》報道，國政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無限期晶圓廠設(shè)備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監(jiān)管復(fù)雜性，但至少可以維持晶圓廠運營的連續(xù)性，這意味著不會擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲器的高波動供應(yīng)。以前，三星和 SK 海力士在經(jīng)過驗證的最終用戶（VEU）狀態(tài)下運營，這使他們能夠根據(jù)事先遵守美國安全和監(jiān)控措施，獲得進(jìn)口受限晶圓廠設(shè)備（WFE）到其中國晶圓廠的全面批準(zhǔn)，這大大簡化了他們的運營。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國商務(wù)部最近向韓國官員
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三星Exynos 2600將成為全球首款2nm手機芯片，尚未確定旗艦Galaxy S26系列是否采用

  • 媒ETNews援引業(yè)內(nèi)人士報道稱，三星已確認(rèn)Exynos 2600將成為全球首款采用2nm工藝的移動SoC芯片，目前該芯片完成開發(fā)并準(zhǔn)備好進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。不過，關(guān)鍵問題在于三星尚未最終決定，是否在下一代旗艦系列Galaxy S26智能手機中采用這款新型芯片，預(yù)計將在今年第四季度作出決定。根據(jù)之前的消息顯示，三星2nm初期良率低于30%，但是其正全力投入良率的改進(jìn)，目標(biāo)是年底將2nm良率提高到70%。而Exynos 2600芯片采用了新型散熱部件「熱傳導(dǎo)模塊（HPB）」，工作原理類似于散熱片，能夠有效管
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三星 sdi介紹

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