律師 Holland King 表示,參議院關于增加半導體建設稅收抵免的提案將使現有工作受益,但對鼓勵新項目幾乎沒有作用。美國參議院對唐納德·特朗普總統的大規模稅收和支出計劃做出的改變之一是將先進制造業投資抵免(非正式地稱為半導體抵免)從25%提高到30%。此變更將適用于 12 月 31 日之后投入使用的任何設施。但該法案沒有起到的作用對于那些希望利用這項抵免的人來說同樣重要。投資稅收抵免是在 CHIPS 法案中引入的,旨在鼓勵建設或改進制造半導體或其他半導體制造設備的設施。它允許業主申請 25% 的合格
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半導體 稅收抵免
日本商工部周四宣布,日本駐印度大使小野圭一 (Keiichi Ono) 率領一個由日本知名公司組成的高級代表團正式訪問了古吉拉特邦的 Dholera 特別投資區 (SIR),古吉拉特邦是德里-孟買工業走廊 (DMIC) 下的印度綠地智能工業城市。此次訪問是加強印度和日本之間工業合作的一個重要里程碑,該合作以創新、可持續性和包容性發展的共同價值觀為基礎。為期兩天的參與從在艾哈邁達巴德舉行的會議開始,然后是對 Dholera SIR 的實地考察。日本代表團在 Dholera 工業城發展有限公司 (DICDL)
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半導體 智慧城市
三星電子在今年第二季度錄得的營業利潤明顯低于市場預期,引發了對其高帶寬內存 (HBM) 業務失敗的擔憂,這被視為這一缺口背后的最大原因,以及代工業務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷,但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績,而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是,三星電子自第四代 HBM (HBM3) 以來,所有代 HBM 產品都未能取得顯著成果,導致 SK 海力士和美光占據市場領先地位。根據國內證券公司的分析,三星電子的內存部門錄得約 3 萬億韓元的營業利
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三星電子 半導體 HBM
半導體制造商應用材料公司 (Applied Materials) 在解決其全球運營和供應鏈中的能源使用問題的同時,在可再生電力方面取得了進展應用材料公司發布了《2024 年影響報告》,其中闡述了它如何應對實現清潔能源目標的挑戰,同時建造新設施來服務于快速增長的科技行業。該公司總部位于加利福尼亞州,為現代電子產品提供從消費設備到數據中心的機器。這意味著它不僅僅是能源用戶,它還有助于定義全球數字系統中的能源消耗方式。在能源方面,既有進步,也有壓力。可再生電力增加,但排放量也在增加應用材料公司承諾到 2030
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Applied Materials 半導體 清潔能源 應用材料
科學家們正在尋求可能提高太陽能電池和其他小工具效率的新型半導體材料。然而,科學家手動監測關鍵材料特性的速度是創新的障礙。得益于麻省理工學院研究人員創建的完全自主機器人系統,事情可能會發展得更快。該研究發表在《科學進展》上。他們的技術利用機器人探針來評估光電導率,這是一種重要的電學特性,決定了材料對光的接受程度。研究人員將人類專家在材料科學領域的知識納入機器學習模型,以指導機器人的決策。這允許機器人選擇與探針接觸材料的最佳位置,以獲得有關其光電導的大部分信息,同時獨特的規劃方法確定接觸點之間的最快路徑。在
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AI 機器人 半導體 綠色能源
半導體行業是全球科技經濟的關鍵,目前正在波濤洶涌的水域中航行。在美中貿易緊張局勢升級之際,拜登政府對關鍵礦產和半導體的 232 條款調查(將于 2025 年 11 月結束)為本已動蕩的市場注入了不確定性。對于投資者來說,動蕩提供了一個典型的逆向機會:有機會以折扣價購買 Nvidia (NVDA) 等優質股票,同時為該行業的長期增長軌跡做好準備。關稅十字路口:風險與現實美國正在審查其對半導體和關鍵礦物的外國供應鏈的依賴,這些半導體和關鍵礦物對人工智能芯片、電動汽車和國防系統至關重要。20
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關稅 半導體 NVDA Nvidia
半導體市場中的濕化學品按類型(通用濕化學品、功能性濕化學品)、應用(清潔應用、蝕刻應用)進行細分。半導體中的濕化學品市場在 2024 年的價值為 11.46 億美元,預計到 2031 年將達到 17.35 億美元的修訂規模,在預測期內的復合年增長率為 6.2%。推動半導體市場濕化學品增長的主要因素:在小型化趨勢、不斷擴大的制造產能和芯片生產復雜性上升的推動下,半導體市場的濕化學品正處于強勁的上升軌道上。這些化學品是關鍵制造步驟的基礎,并且正在不斷發展以滿足先進技術節點的需求
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半導體 濕化學品
2025 年 7 月 7 日 — 半導體行業協會 (SIA) 今天宣布,2025 年 5 月全球半導體銷售額為 590 億美元,與 2024 年 5 月的 492 億美元相比增長 19.8%,比 2025 年 4 月的 570 億美元增長 3.5%。月度銷售額由世界半導體貿易統計 (WSTS) 組織編制,代表三個月的移動平均線。按收入計算,SIA 占美國半導體行業 99% 的股份,占非美國半導體行業的近三分之二。芯片公司。“5 月份全球半導體銷售額保持強勁,略高于上個月的總額,仍遠高于去年同月的銷售額,”
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半導體
AI 驅動的內容優化工具(從實時語言翻譯和視頻分析到個性化營銷)的快速發展正在重塑各行各業。這些創新的背后是一個無聲的引擎:對半導體和云基礎設施的飆升需求。隨著公司利用 AI 來改進內容創建和交付,為這些系統及其托管數據中心提供動力的芯片正在成為 2025 年及以后的關鍵投資主題。半導體淘金熱:以 AI 芯片為核心全球半導體市場有望在 2025 年達到 6970 億美元,其中 AI 應用推動了超過 20% 的增長。用于訓練和部署大型語言模型 (LLM) 和其他 AI 工具的生成式 AI (gen AI)
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曾經熙熙攘攘的輝慶工業高中(Whigyeong Technical High School)位于首爾東部的東大門區(Dongdaemun District),現已更名為首爾半導體高中(Seoul Semiconductor High School),它正在為身份的重大轉變做準備。在李明博政府推動職業教育的鼎盛時期,該學校招收了多達 2,500 名學生。今天,它只有 80 個。面對關閉,該學校正在將自己重塑為一所半導體高中,計劃明年招收 64 名新生。該校新任命的校長池宇貞(Ji Woo-jung)是三星電
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韓國 半導體 人才嚴重短缺
美國參議院本周通過的《全面稅收法案》將降低半導體制造商在美國建廠的成本,為芯片制造商帶來利益,并將促進美國半導體產業本土化進程。根據參議院通過該法案最終版本,英特爾、臺積電和美光科技等公司如果在現有《芯片與科學法案》提出的2026年截止日期之前在美國動工興建新工廠,將有資格享受35%的投資稅收抵免。這一比例遠超現行芯片法案規定的抵免25%,并且超過了提案草案中設想的30%。值得注意的是,據悉這項稅收抵免沒有上限,很可能已經高于其他形式的補貼 —— 這取決于投資規模。無論在哪種情況下,這種稅收抵免幾乎都將帶
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半導體 芯片
盡管特朗普政府是否會或如何推進芯片關稅仍不明確, 彭博社 暗示參議院已通過重大稅收立法,為芯片制造商帶來重大利好。該法案將美國新建半導體工廠的投資稅收抵免從 25%提高到 35%——超過了先前提出的 30%,報告補充說,這將使英特爾、臺積電、三星和美光等已承諾在美國進行重大投資的公司受益。值得注意的是,根據彭博社的報道,芯片制造商如果在2026年之前開始建設就有資格獲得稅收抵免。據報道,參議院已經獲得批準,眾議院正努力在7月4日之前通過該法案,并將其送交特朗普進行最終簽署。如果這一稅收
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半導體 芯片制造 美國
據外媒報道,近期,一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點:未來晶體管設計,例如GAAFET和CFET架構,可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴,尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出了挑戰。目前,ASML的極紫外光(EUV)及高數值孔徑(high-NA)EUV光刻機在先進制程中扮演關鍵角色,通過曝光步驟將電路設計轉印至晶圓,隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結構。然而,該英特爾高層認為,隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結構的發展,芯片制造將更依賴蝕刻技術,而非單純
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半導體 high-NA EUV
Kuka 推出了其自主移動機器人 (AMR) 的潔凈室認證版本,即 KMR iisy CR,專為半導體和電子制造等敏感環境而設計。新型號符合弗勞恩霍夫研究所確認的 ISO 潔凈室 3 級標準,并提供 11 公斤和 15 公斤的有效載荷版本。Kuka 最新的自主解決方案 KMR iisy CR 將移動平臺與六軸 LBR iisy CR 機械臂相結合,提供與潔凈室兼容的自動化。KMR iisy CR 專為低顆粒排放、最小釋氣和完全符合 ESD 標準而設計,使制造商能夠在高精度環境中執行物料搬運任務,
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作為半導體設備制造領域的主要參與者,泛林集團也是一項有吸引力的投資,應該會受益于人工智能、5G 和邊緣計算領域的一系列長期增長動力。泛林集團是一家專門從事等離子體蝕刻和沉積設備的公司,在這些市場占據領先地位,在關鍵的前端晶圓制造工藝中占有一半的市場份額。投資優勢AI 包容性導致芯片的復雜性日益增加人工智能革命確實是決定 Lam Research 發展的最關鍵技術要素。泛林集團首席執行官蒂姆·阿切爾 (Tim Archer) 提到,對異常復雜的人工智能硅芯片的需求將導致臺積電等公司從這家美國公司購買更多工具
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Lam Research 半導體 泛林集團
半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [
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