- 近日，羅姆和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領先的龍頭企業。協議規定， SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應協
- 關鍵字：
碳化硅 晶圓
- 半導體硅晶圓大廠環球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經濟及匯率三大變數干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫，以及應用擴大等來看，硅晶圓產業已在本季落底，明年上半年整體景氣動能升溫速度優于預期，她預估環球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
- 關鍵字：
環球晶圓 硅晶圓 碳化硅
- 近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動器，幫助高壓/大功率系統設計者將電源效率提升4%，優于競爭產品；功耗和碳排放減少30%。驅動器IC優化用于工業通信系統的開關電源，典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅動、電動汽車、儲能系統、不間斷電源、數據農場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關頻率的瞬態特性會產生較大噪聲，影響系統的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
- 關鍵字：
碳化硅 柵極驅動器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。日前發布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
- 關鍵字：
MOSFET N溝道
- 近日， 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現金支付。
- 關鍵字：
意法半導體 碳化硅 Norstel AB
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。Nexperi
- 關鍵字：
Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
- 全球碳化硅（SiC）技術領先企業科銳與ABB電網事業部宣布達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協議內容包括在ABB種類齊全的產品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。
- 關鍵字：
科銳 ABB 碳化硅
- 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源，核心功能的實現都離不開電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發碳化硅半導體制備技術。近日，記者在區內企業世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現小批量試產，研發的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域，實現第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
- 關鍵字：
第三代半導體 碳化硅 世紀金光
- 功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
- 關鍵字：
MOSFET 功率MOSFET
- 近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態控制技術。?
- 關鍵字：
MEMS 碳化硅 微推力器陣列
- 日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業新一輪變革的突破口。 2018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領域研發支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等積極因素，國內第三代半導體產業穩步發展。但是，在材料指標、器件性能等方
- 關鍵字：
半導體 碳化硅
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減
- 關鍵字：
SiC MOSFET 意法半導體
- 開關調節器中的快速開關瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時，可以大幅提高開關調節器的效率。但是，快速開關轉換也會帶來一些負面影響。開關轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發人員必須在高頻率范圍內，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創新的Silent Switcher?技術，即使是極快的開關邊沿，也可能產生最小電磁輻射。圖1.對開關模式電源進行開關轉換，在開關節點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
- 關鍵字：
開關 MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
- 關鍵字：
SiC MOSFET
- 最近，由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
- 關鍵字：
碳化硅 二極管 MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
