驍龍 8s gen 3 文章 最新資訊
告別火龍稱號(hào) 高通驍龍8 Elite Gen6散熱史詩級(jí)加強(qiáng)
- 2月6日消息，三星已經(jīng)將全新的HPB（Heat Path Block）散熱技術(shù)應(yīng)用于自家的Exynos 2600芯片，這項(xiàng)設(shè)計(jì)被視為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一次卓越突破，能將芯片的熱阻降低16%并顯著優(yōu)化溫控表現(xiàn)。根據(jù)最新的行業(yè)報(bào)道，高通計(jì)劃在今年晚些時(shí)候亮相的驍龍8 Elite Gen6系列中也搭載同款HPB技術(shù)。目前的爆料顯示，高通正以5.0GHz甚至更高的主頻對(duì)驍龍8 Elite Gen6進(jìn)行工程測試。這不僅意味著HPB技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入實(shí)測階段，也暗示了該技術(shù)是支撐超高頻率穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。從技術(shù)原理來看
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高通擴(kuò)展 Windows 平臺(tái)驍龍系列產(chǎn)品線，推出 X2 Plus
- 繼去年推出驍龍 X2 Elite 芯片后，高通不出所料地?cái)U(kuò)展了其 Windows 平臺(tái)產(chǎn)品線，帶來了驍龍 X2 Plus 系列。新發(fā)布的包括一款十核升級(jí)版處理器與一款全新六核衍生型號(hào)，兩者均實(shí)現(xiàn)了單線程性能的大幅提升。盡管未來可能會(huì)推出更多衍生型號(hào)，但高通在 2026 年國際消費(fèi)電子展（CES）上已正式發(fā)布兩款庫存單位（SKU）：其一為十核型號(hào) X2P-64-100，高通稱其在 Geekbench 6 基準(zhǔn)測試中，單核性能較上一代提升 35%，多核性能提升 17%；另一款是六核型號(hào) X2P-42-100。
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挑戰(zhàn)X86，高通在CES 2026推出驍龍 X2 Plus平臺(tái)
- 在國際消費(fèi)電子展（CES）上，高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies, Inc.）正式發(fā)布驍龍 X2 Plus 平臺(tái) —— 這是驍龍 X 系列的最新成員。作為一次突破性的升級(jí)，該平臺(tái)為追求高速、響應(yīng)迅速、便攜且具備多日續(xù)航能力的現(xiàn)代職場人士、新銳創(chuàng)作者及普通用戶，重塑了每一次操作與每一段使用體驗(yàn)。隨著驍龍 X2 Plus 的推出，高通技術(shù)公司將 Windows 11 Copilot + 個(gè)人電腦的強(qiáng)大性能拓展至整個(gè)驍龍 X 系列，多家頭部原始設(shè)備制造商（OEM）的相關(guān)機(jī)型將于 2026
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驍龍8 Elite Gen6首發(fā)臺(tái)積電2nm工藝：蘋果A20最強(qiáng)勁敵來了
- 1月3日消息，臺(tái)積電官網(wǎng)顯示，臺(tái)積電2nm工藝已經(jīng)按照計(jì)劃于2025年第四季度正式投入量產(chǎn)。不出意外，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等客戶都將在今年下半年推出2nm芯片，它們分別是A20、A20 Pro、驍龍8 Elite Gen6系列以及天璣9600，標(biāo)志著2nm時(shí)代正式到來。值得注意的是，雖然蘋果、高通下一代旗艦芯片都是2nm工藝制程，但是兩款芯片使用的工藝節(jié)點(diǎn)略有不同。據(jù)博主定焦數(shù)碼爆料，高通驍龍8 Elite Gen6采用的是臺(tái)積電N2P工藝，而蘋果A20和A20 Pro采用臺(tái)積電N2工藝，其中N2是臺(tái)積電第
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大眾汽車在沃爾夫斯堡測試Gen.Urban自動(dòng)駕駛汽車
- 大眾集團(tuán)已將其Gen.Urban自動(dòng)駕駛研究車投入真實(shí)城市交通，開始在沃爾夫斯堡的公共道路上進(jìn)行新的測試階段。該項(xiàng)目將項(xiàng)目從受控試驗(yàn)轉(zhuǎn)向日常城市場景，涵蓋交叉口、環(huán)島以及混合住宅與工業(yè)區(qū)。這一進(jìn)展揭示了大型汽車集團(tuán)如何處理用戶體驗(yàn)、內(nèi)飾概念以及自動(dòng)駕駛汽車的人機(jī)交互。它還強(qiáng)調(diào)了城市測試路線不僅用于驗(yàn)證駕駛功能，還驗(yàn)證乘客的接受度和信任度。無傳統(tǒng)對(duì)照的城市檢測Gen.Urban研究車輛設(shè)計(jì)無方向盤或踏板，體現(xiàn)了面向未來的全自動(dòng)出行理念。在當(dāng)前測試階段，一名受過培訓(xùn)的安全駕駛員坐在副駕駛座，必要時(shí)可通過專用控
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高通驍龍8 Gen 5芯片核心信息曝光：與驍龍8 Elite Gen 5一體雙生
- 11 月 12 日消息，博主數(shù)碼閑聊站 今天在微博發(fā)文稱，高通驍龍 8 Gen 5 芯片的芯片制程和規(guī)格將與驍龍 8 Elite Gen 5“一體雙生”。根據(jù)博主的說法，高通會(huì)長期保持迭代 8 Gen X 這條產(chǎn)品線，構(gòu)成標(biāo)準(zhǔn)版和 Pro 版的市場格局，定位對(duì)標(biāo)蘋果。性能方面，驍龍 8 Gen 5 的內(nèi)部數(shù)據(jù)是安兔兔跑分＞驍龍 8 至尊版，Geekbench 6 單核性能＜驍龍 8 至尊版，多核跑分＞驍龍 8 至尊版，某些新機(jī)游戲體驗(yàn)≥驍龍 8 至尊版，套片價(jià)格≥驍龍 8 至尊版，在未來的中端旗艦產(chǎn)品線中
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閃迪PCIe Gen 5企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤榮獲開放計(jì)算組織OCP Inspired?認(rèn)證
- Sandisk閃迪近日宣布，其PCIe? Gen 5 SANDISK? SN861 NVMe SSD已獲得開放計(jì)算組織（Open Compute Project，OCP）的OCP Inspired?認(rèn)證。這一認(rèn)證意味著SANDISK? SN861 NVMe SSD在OCP協(xié)會(huì)的評(píng)審中展現(xiàn)出卓越的產(chǎn)品效率、影響力、開放性、可擴(kuò)展性和可持續(xù)性，符合數(shù)據(jù)中心NVMe SSD規(guī)范。目前，SANDISK? SN861 NVMe SSD已正式上線OCP Marketplace平臺(tái)。
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Microchip推出首款3納米PCIe Gen 6交換機(jī)，賦能現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施
- 隨著人工智能（AI）工作負(fù)載和高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度與低延遲的需求持續(xù)激增，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出下一代Switchtec? Gen 6 PCIe? 交換機(jī)。作為業(yè)界首款采用3納米制程工藝的PCIe Gen 6交換機(jī)，Switchtec Gen 6系列旨在實(shí)現(xiàn)更低功耗，并支持最多160通道，滿足高密度AI系統(tǒng)的連接需求。該系列交換機(jī)的高級(jí)安全功能包括基于硬件的信任根、安全啟動(dòng)功能，并采用符合美國商用國家安全算法規(guī)范2.0（CNSA 2.0
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聯(lián)發(fā)科天璣9500：旨在超越Snapdragon 8 Gen 3和蘋果A17
- 關(guān)鍵點(diǎn)：尖端 3nm“全大核”CPU：天璣 9500 采用臺(tái)積電 8nm N3P 工藝，配備 1 個(gè)高性能內(nèi)核（4.21 個(gè)超 @ 4.21GHz、3 個(gè)高級(jí) @ 3.7GHz、4 個(gè)性能 @ 3GHz）.這種第三代“全大核”設(shè)計(jì)（無低功耗內(nèi)核）的單核性能比其前身提高了 32%，多核性能提高了 17%，同時(shí)將峰值功耗削減 37%（主核心在全油門時(shí)的功耗降低 55%）.破紀(jì)錄的人工智能和 NPU：全新雙核 NPU （MediaTek NPU 990） 搭載生成式 AI 引擎 2.0，將 AI 計(jì)算能力提升一
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2nm，是聯(lián)發(fā)科天璣追上驍龍的契機(jī)嗎？
- 聯(lián)發(fā)科技和高通，是智能手機(jī)應(yīng)用處理器的死對(duì)頭，高通在智能手機(jī)的生態(tài)上話語權(quán)更大，聯(lián)發(fā)科技則是在整體市場份額上領(lǐng)先，不過在高端市場的占有率和銷售額方面，高通的優(yōu)勢要明顯得多。如果聯(lián)發(fā)科技要真正與高通并肩對(duì)視，那么天璣系列就要擁有跟驍龍一樣的競爭力。 在天璣系列出現(xiàn)之前，聯(lián)發(fā)科技在手機(jī)AP方面的話語權(quán)似乎始終活在高通的陰影下，特別是某高通股東廠商內(nèi)部的產(chǎn)品定位直接讓天璣系列精心打造的比肩驍龍的宣傳口號(hào)變成了笑話。不過隨著各手機(jī)廠商定制處理器出現(xiàn)不同的意外情況，不可否認(rèn)的是，天璣系列現(xiàn)在擁有可以撼動(dòng)驍
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用于 gen-7 IGBT模塊的硅凝膠
- 陶氏公司的目標(biāo)是使用其最新的硅凝膠來開發(fā) IGBT 模塊，以支持 800V 車輛和可再生能源高達(dá) 180°C 的運(yùn)行溫度。“在光伏電池板和風(fēng)力渦輪機(jī)中，逆變器的功率密度正在增加，”該公司表示。“由于第 7 代 IGBT 技術(shù)的結(jié)溫更高，電壓更高，電氣負(fù)載更大，硅凝膠需要具有強(qiáng)大的介電性能和增強(qiáng)的耐熱性。”EG-4175 是一種材料，在使用前由等量的兩種粘度匹配的前體混合。它無需單獨(dú)的底漆即可自吸以實(shí)現(xiàn)粘合，并在室溫下固化——盡管可以使用熱量來加速固化。陶氏聲稱，在使用中，“該材料可以吸收振動(dòng)并具有自愈特性
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Snapdragon 8 Gen 5是高通迄今為止最強(qiáng)大的處理器嗎？
- 高通正準(zhǔn)備推出其下一款旗艦智能手機(jī)芯片。新的泄漏讓我們更清楚地了解會(huì)發(fā)生什么。即將推出的處理器之前被傳為 Snapdragon 8 Elite Gen 2，可能會(huì)以 Snapdragon 8 Gen 5 的名稱上市。不管叫什么名字，性能數(shù)據(jù)看起來都令人驚嘆。根據(jù)爆料者數(shù)碼閑聊站的一份新報(bào)告，驍龍 8 Gen 5 已經(jīng)在安兔兔基準(zhǔn)測試上跨越了一個(gè)令人難以置信的里程碑。據(jù)報(bào)道，該芯片得分超過 400 萬分。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于目前的高端處理器，后者的得分通常在 2.5 到 300 萬之間。這意味著新的 Snapdra
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高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工，專供三星Galaxy系列
- 據(jù)外媒Business Post報(bào)道，三星計(jì)劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機(jī)，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺(tái)積電獨(dú)家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報(bào)道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整，計(jì)劃為新一代驍龍旗艦手機(jī)芯片開發(fā)兩個(gè)版本。一個(gè)版本采用臺(tái)積電3nm制程，供
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或有多個(gè)版本！又有小米自研芯跑分曝光：10核3nm設(shè)計(jì)、超驍龍8 Gen 3
- 5月20日消息，雷軍之前已經(jīng)宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個(gè)代號(hào)，最終的成品或許會(huì)有多個(gè)版本。如果熟悉芯片設(shè)計(jì)的朋友應(yīng)該都清楚，廠商在規(guī)劃一款芯片設(shè)計(jì)時(shí)，必然會(huì)有多款相關(guān)版本的衍生，所以這更像是一個(gè)大類，而非具體到一個(gè)型號(hào)。有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，Geekbench 6.1.0上出現(xiàn)了小米新機(jī)的跑分成績，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機(jī)的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些，可以說表現(xiàn)亮眼。跑分頁面還顯示，該處理器的C
- 關(guān)鍵字： 小米 自研芯 10核 3nm 超驍龍8 Gen 3
Sandisk閃迪發(fā)布 WD_BLACK? SN8100 NVMe? SSD，以行業(yè)前沿速度推動(dòng) PCIe Gen 5.0 NVMe? SSD 發(fā)展
- Sandisk?閃迪于近日正式發(fā)布其采用先進(jìn) PCIe? Gen 5.0 技術(shù)的WD_BLACK? SN8100 NVMe? SSD，推動(dòng)客戶端 SSD 產(chǎn)品發(fā)展。這款先進(jìn)的內(nèi)置 SSD 順序讀取速度高達(dá)14,900 MB/s[1]，容量高達(dá)8TB[2]，專為高性能游戲、內(nèi)容創(chuàng)作和人工智能（AI）工作負(fù)載設(shè)計(jì)。
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