從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態系統中，迫使 AI 芯片、用于創建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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EDA 3D IC 數字孿生
根據 TrendForce 最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現貨價格持續上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現貨價格：盡管過去一周現貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現貨價格繼續上漲，而 8Gb DDR4 等
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內存 DDR4 DRAM
●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰。西門
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西門子EDA 3D IC
全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性存儲器解決方案的商業化。過去兩年，相變內存（PCM）、電阻式隨機存取內存 （RRAM） 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節點的試產階段，并運用3D堆疊技術實現高密度，以解決傳統DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發投入加速新材料與制程的成熟。 這
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AI 內存 臺積電 三星 存儲技術
隨著第二季即將結束，多家內存原廠已展開第三季合約報價談判。 原廠持續執行減產、并調整產品組合，市場供需變化牽動價格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關鍵產品為觀察重點。根據TrendForce調查，2025年DRAM整體位元產出將年增約25%，但若排除HBM產品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務器核心零組件，供應持續吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴重短缺，推升報價動能。在一般型DR
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內存 供應鏈 TrendForce
美光在 2025 財年第三季度的創紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續。這家美國內存巨頭現在目標是到年底占據約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。美國生產時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發和半導體制造設施——這是
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美光 HBM 內存
來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統的系統級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現 BBCube，研究人員開發了涉及精確和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
NewSpace 是指私營公司和初創公司將太空探索商業化，與傳統太空計劃相比，政府的監督通常較少。在對全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動下，NewSpace 計劃旨在將 LEO 衛星星座與物聯網相結合。這些任務通常依賴于較小的衛星，從納米衛星到 250 公斤衛星，并且任務持續時間更短，成本更低，能夠部署大規模 LEO 星座。由于 LEO 的發射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統的軍事或航空航天認證即可提供強大的性能。Infineon
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英飛凌 太空 內存
近日有消息稱，微信正在優化聊天記錄備份的功能，支持U盤等多種存儲設備。對此，微信方面回應稱正在小范圍測試聊天記錄備份功能優化。微信表示，和當前僅支持備份到電腦相比，優化后的功能支持用戶通過手機微信，將聊天記錄備份到外部存儲設備（如U盤、移動硬盤），且可創建及管理多份備份文件，并支持自動備份。目前，該功能更新在持續擴大測試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復”，如果你的微信在該功能的灰度測試范圍，那么就會看到現在備份與恢復可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲設備”或“支
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微信 內存
根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現貨價格：與合約市場的情況類似，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現貨價格在整個 2Q25
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全球五大NAND Flash原廠同步實施減產，加上美中之間的新關稅政策，帶動買賣雙方在90天寬限期內加速交易與出貨，致使2025年第二季存儲器價格，出現優于預期的反彈走勢。五大NAND原廠同步減產，供給面收縮，助攻內存市場行情，根據調查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰，皆在2025年上半年啟動減產計劃，幅度在10%~15%，以調節供過于求的市場結構。此輪原廠同步減產，對存儲器價格止跌回升形成支撐，加上中美貿易政策變量升高，促使業者加快在政策寬限期內完成交易
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內存
據稱，可靠性和供應鏈問題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發下一代零件。據稱，Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術的推出，并推出了即將推出的 Blackwell 企業級 GPU。ZDNet 報道稱，SOCAMM 現在計劃與代號為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應該與 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產品，針對工作站而不是服務器。GB300
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存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
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三星 HBM4 內存 混合鍵合
一、測試目的DDR3的測試分為三類：1、直流參數測試（DC Parameter Testing）：校驗工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數特性。內存的工作電流與功耗、負載有關，工作電流過高時，將造成功耗過高，給系統造成的負載過大，嚴重情況下將造成系統無法正常工作。存儲芯片也存在漏電流，當漏電流超出閾值時可能造成系統無法正常工作。2、交流參數測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時間、保持時間、訪問時間等時間參數特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
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內存 DDR3 測試測量
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