中國的研究人員開發了一種開創性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現了深溝槽，同時還實現了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
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3D 射頻傳感器
三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內存 HBM
在一項新的 Nature Communications 研究中，研究人員開發了一種內存鐵電微分器，能夠直接在內存中執行計算，而無需單獨的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對于智能手機、自動駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設備。圖像處理和運動檢測等任務的傳統方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數據開始，這些數據被傳輸到存儲單元，存儲單元進一步將數據傳輸到微控制器單元以執行差分作。由于差分運算是多項計算任務的基礎，研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設備。Tech Xplore
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鐵電RAM 內存 執行計算
Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創新，該公司聲稱該創新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
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Sandisk 3D-NAND
內存產業在美國對等關稅政策反復變動下，提前出現備貨熱潮。 根據TrendForce最新調查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實質改變內存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內完成交易、生產出貨，預期將推升第二季市場交易熱度，DRAM、NAND Flash價格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關稅寬限期暫時緩解市場對需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位，進而帶動供應鏈產能，尤其以
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備貨熱潮 內存
4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
美光已確認其提高內存價格的計劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強勁。該公司的最新公告表明，隨著供應限制以及人工智能、數據中心和消費電子產品的需求增長推高了成本，價格將在 2025 年和 2026 年繼續上漲。價格上漲之際，內存市場正從供應過剩和收入下降的時期反彈。在過去的一年里，由于主要供應商的減產以及對高性能計算和 AI 工作負載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價格穩步回升。隨著美光確認有意提高價格，三星和 SK 海力士等其他內存制造商預計將效仿，進一步鞏固價格上漲趨勢。
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專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?與Micron合作推出了全新電子書，探討內存在AI邊緣應用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能?(AI)?的關鍵設計考慮因素。Micron是創新內存和存儲解決方案的行業知名企業，在邊緣計算、數據中心、網絡連接和移動等關鍵市場領域，為AI、機器學習和自動駕駛汽車的發展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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AI邊緣 內存 貿澤
3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務器，不但規格、性能越來越強，HBM內存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發布，繼續采用HBM3E內存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續升級為加強版HBM4E內存；而到了2028年的Feynman全新架構有望首次采用HBM5內存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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HBM 內存
3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
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3D DRAM
2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲業務，與之合作的美光也結束了3DX Point存儲技術的研發，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲芯片研發、生產、銷售的高科技企業，主要產品包括阻變存儲、相變存儲、鐵電存儲、磁阻存儲，目前員工約200人，其中約90％為研發人員，碩士及以上學歷占比77％。去年9月，新存科技發布了中國首款最大容量新型存儲芯片“NM101”，現在又宣布了非易失性新型存儲芯
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英特爾 傲騰 內存 非易失性存儲 新存科技
2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發布博文，報道稱英偉達正積極研發名為“SOCAMM”的全新內存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計算機，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強，有望成為內存市場的新增長點。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內存廠商進行 SOCAMM 原型機的性能測試，預計最快將于今年年底實現量產。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口，遠超 PC DRAM 和
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英偉達 SOCAMM 內存 AI 計算
2月17日消息，據BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發新型內存標準SOCAMM，并推動其商業化。16日，業內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發展的設備端AI領域都有潛在影響。據悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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英偉達 內存 HBM
樹莓派工程師調整了 Pi 的 SDRAM 時序和其他內存設置，在默認的 2.4 GHz 時鐘下實現了 10-20%的速度提升。我當然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進一步調整內存時序，他們與美光公司進行了溝通，并實施了一系列小的調整，這些調整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進！SDRAM 刷新間隔目前使用默認數據表設置。實際上
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樹莓派 SDRAM 時序 內存
日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產線通線，現正在推動量產產品的上量和更多新產品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據產線運行情況擇機啟動。據了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產業鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產線，對保障高可靠芯片的產業鏈穩定和安全具有重要作用。
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紫光國微 2D/3D 芯片封裝
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