3d 內(nèi)存文章最新資訊

磁芯的過去、現(xiàn)在和未來(lái) 內(nèi)存技術(shù)的巨變變化

《電子設(shè)計(jì)：時(shí)不時(shí)》的這一迭代是在我從我們的檔案中閱讀“在計(jì)算機(jī)中使用磁芯”時(shí)受到啟發(fā)的。本文最初發(fā)表于 Electronic Design 1955 年 4 月，第 3 卷第 4 期。這是不久前的事了。事實(shí)上，我就是那一年出生的。我們將討論磁芯的常用用途進(jìn)行存儲(chǔ)，但首先要提及這篇文章。事實(shí)證明，鐵芯和磁性元件有很多用途。它們?nèi)匀挥米麟娫春湍M電路中的扼流圈。然而，在這種情況下，我們的想法是使用磁芯來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯（圖 1）。查看文章了解詳情。盡管這項(xiàng)技術(shù)從未進(jìn)入商業(yè)領(lǐng)域，但它確實(shí)奏效了。1
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汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動(dòng)的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣?dòng)駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對(duì)緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長(zhǎng)，這些解決方案能夠應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法，有可能重塑汽車市場(chǎng)。通過垂直堆疊多個(gè)芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時(shí)克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計(jì)和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說(shuō)，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會(huì)成為韓國(guó)在人工智能和 HBM 競(jìng)賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來(lái)。
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UltraRAM 接近商業(yè)化：DRAM 速度，NAND 耐用性，1000 年數(shù)據(jù)壽命

據(jù) TechNews 報(bào)道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲(chǔ)技術(shù)“UltraRAM”，結(jié)合了 DRAM 和 NAND 的優(yōu)勢(shì)，在商業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展。英國(guó)半導(dǎo)體初創(chuàng)公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開發(fā)者，與 IQE 合作，將其制造推進(jìn)到工業(yè)規(guī)模。UltraRAM 被認(rèn)為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優(yōu)勢(shì)的新型存儲(chǔ)器。據(jù) Tom’s Hardw
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內(nèi)存巨頭在 HBM 基板上出現(xiàn)分歧：美光據(jù)報(bào)道推遲晶圓廠轉(zhuǎn)移，面臨失去優(yōu)勢(shì)的風(fēng)險(xiǎn)

據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)正在為其 2027 年的生產(chǎn)開發(fā)自己的 HBM 基板，內(nèi)存巨頭的基板制造從 DRAM 轉(zhuǎn)移到晶圓廠工藝的焦點(diǎn)。據(jù)韓國(guó)的 Digital Daily 報(bào)道，美光可能采取了最謹(jǐn)慎的做法，由于成本問題，將推遲到 HBM4e 才轉(zhuǎn)移到晶圓廠。報(bào)道解釋說(shuō)，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工藝制造的，因?yàn)?DRAM 制造商自己設(shè)計(jì)了邏輯，并在自己的 DRAM 線上生產(chǎn)。然而，平面 DRAM 工藝在速度、信號(hào)完整性和能效方面落后于晶圓廠的 FinFET 技術(shù)，促使內(nèi)存制造商進(jìn)
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英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年開始設(shè)計(jì) HBM 邏輯芯片，以在供應(yīng)鏈中獲得對(duì)臺(tái)積電、SK 海力的優(yōu)勢(shì)

根據(jù)韓國(guó)媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達(dá)計(jì)劃從 2027 年下半年開始承擔(dān) HBM 價(jià)值鏈中“邏輯芯片”的設(shè)計(jì)工作，這是一個(gè)核心組件，同時(shí)計(jì)劃多樣化其來(lái)源。報(bào)道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為英偉達(dá)的策略是為了重新平衡其與關(guān)鍵合作伙伴如臺(tái)積電和 SK 海力的關(guān)系，削弱他們的談判能力，并控制供應(yīng)成本。報(bào)道強(qiáng)調(diào)，SK 海力和其他內(nèi)存制造商迄今為止都是內(nèi)部生產(chǎn)邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)——正推動(dòng)向代工生產(chǎn)轉(zhuǎn)型。SK 海力已選擇臺(tái)積電承擔(dān)這一角色，報(bào)道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為美光也將這
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內(nèi)存漲價(jià)輪到NOR Flash！第四季全面漲勢(shì)更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價(jià)格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國(guó)市場(chǎng)NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報(bào)價(jià)5~10%，盡管市場(chǎng)仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測(cè)成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，隨著近期市場(chǎng)漲價(jià)風(fēng)聲蠢蠢欲動(dòng)，NOR Flash價(jià)格將從第4季在各區(qū)域市場(chǎng)全面反映報(bào)價(jià)調(diào)漲，單季漲幅將達(dá)雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場(chǎng)價(jià)格近來(lái)明顯走揚(yáng)，不僅DDR4身價(jià)暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價(jià)格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個(gè)月來(lái)現(xiàn)貨價(jià)格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔(dān)憂
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動(dòng)了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報(bào)告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國(guó)芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報(bào)道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報(bào)道賺取了約 110 萬(wàn)億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報(bào)道稱，來(lái)自單個(gè)“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬(wàn)億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬(wàn)億
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動(dòng)內(nèi)存、芯片市場(chǎng)

市場(chǎng)傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動(dòng)正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因?yàn)樗赡苤厮芟乱淮?HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，該芯片預(yù)計(jì)將基于 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)，小批量試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年下半年進(jìn)行。英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年
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Yole評(píng)2025數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢(shì)：人工智能重塑計(jì)算和內(nèi)存市場(chǎng)

市場(chǎng)研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報(bào)告《2025 年數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢(shì)》，深入分析了人工智能、高性能計(jì)算和超大規(guī)模需求如何推動(dòng)新的半導(dǎo)體范式
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美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級(jí) NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測(cè)試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動(dòng)態(tài)老化。它還基于美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃通過使用國(guó)產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來(lái)擺脫美國(guó)制裁

(圖片來(lái)源：YMTC)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC），中國(guó)領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來(lái)一直被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)市場(chǎng)的 15%，據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國(guó)制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬(wàn)片晶圓啟動(dòng)據(jù) DigiTimes 報(bào)道，預(yù)計(jì)到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
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據(jù)報(bào)道，2026 年 HBM 價(jià)格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險(xiǎn)，對(duì) SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)

隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動(dòng) HBM 需求增長(zhǎng)，分析師警告明年可能面臨價(jià)格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，競(jìng)爭(zhēng)加劇和供過于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價(jià)格下跌——這對(duì)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價(jià)格可能下跌兩位數(shù)。此外，競(jìng)爭(zhēng)加劇以及定價(jià)權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤(rùn)空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測(cè)，HBM 價(jià)格下降的趨勢(shì)可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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