64GB DDR5內存的平均價格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預計要花比買電腦更高的價格。價格還在上漲：PC內存的價格已經高到64GB?DDR5內存包輕松超過500美元，甚至超過索尼PlayStation 5。隨著對人工智能數據中心的需求持續侵蝕內存供應，PC制造商注意到近期價格達到了新的水平。與今年早些時候相比，價格上漲幅度在120%到200%之間，尤其是對于較新的DDR5內存。例如，一對32GBDDR5內存條（總共64GB）的平均價格已超過600美元，較 PCPartPic
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DDR 內存 PC
芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術，在有限空間內集成更強計算能力。然而，當前用于檢測可能導致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望幫助代工廠在生產過程中快速捕捉這些隱藏缺陷，且不會對芯片造成損壞，這可能為行業節省數十億美元成本。馬里蘭州大學公園市量子技術公司 EuQlid 的聯合創始人兼首席執行官 Sanjive Agarwala 表示：“芯片中電流傳輸所依賴的互連結構若存在缺陷 —— 無論是金屬沉積不當、硅片裂紋還
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氮空位缺陷 3D 芯片 量子傳感器
隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設備、配件和應用程序類別創新獎獲獎者。新公布的規格特別指出，12 納米設計可提供 10.7Gbps 數據速率和擴展的 I/O 以實現更高帶寬——專為數據密集型移動、邊緣和設備上的 AI 工作負載而構建。TechPowerUp?援引三星的話報道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時功耗減少了約
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三星 LPDDR6 內存
我們現在正處于人工智能時代，數據是創新的命脈，而嵌入式 NVM 是一項基石技術，無需使用電源即可保留信息，并支持從 MCU 和物聯網 SoC 到汽車控制器和安全元件的一切。截至 2025 年 11 月，嵌入式 NVM 發展迅速。邊緣數據激增，人工智能功能登陸 MCU 和 SoC，功耗預算比以往任何時候都更加緊張。內存是我們構建設備的核心。這項調查著眼于 eNVM 在市場、技術和采用方面的現狀，以及它下一步的發展方向。市場概況和增長嵌入式新興 NVM，包括 MRAM、RRAM/ReRAM 和 PCM，正在進
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內存 嵌入式 NVM eNVM
過去一年，內存市場從“供需平衡”驟然滑向“緊平衡”。DDR4 生命周期終止（EOL）通知與 AI 建設潮“搶產能”正面相撞——高帶寬、先進節點成為晶圓廠新寵，傳統產品線瞬間被抽走產能。 晶圓廠重新調配后，現貨收緊、交期拉長、價格波動加劇，工業及長生命周期應用首當其沖。對 OEM、CM、EMS 而言，核心命題只有一個：把產品路線圖及時對齊供應新節奏，否則就要面對斷料和成本飆升的雙重暴擊。讀懂 DDR4 停產信號十多年來，DDR4 一直是系統內存的“默認選項”。如今，美光、三星、SK 海
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DDR4 人工智能 內存
隨著內存價格攀升，以及三星終于進入英偉達HBM供應體系，三星半導體終于實現營收復蘇，結束了其芯片部門連續四個季度下降的局勢。人工智能應用成為三星半導體復蘇最大的外部因素，內存業務實現了三星所說的“創紀錄的季度收入”，這得益于高帶寬內存 （HBM3E） 芯片和服務器固態硬盤的銷售擴張——這兩者都是人工智能基礎設施的重要組成部分。 但這不僅僅是一個漲潮舉起所有船只的故事。三星半導體的復蘇反映了三星經濟低迷時期經過深思熟慮的戰略轉向、最終轉向對其有利的市場動態，以及迫使該公司加快人工智能芯片路線圖的巨
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三星半導體 內存 工藝投資
記憶體缺貨風暴進入慘烈局面，近期上游國際原廠2025年第4季合約價陸續敲定。 據悉，隨著各家搶貨激烈，導致美、中多家一線大客戶的訂單滿足率，僅約7成。 而服務器內存第4季合約價暴沖，漲幅高達40~50%，產能排擠效應已連帶影響到其他的非優先供應客戶，未來2個季度的滿足率，將可能不到40%。AI需求爆發，掀起存儲器產業全面缺貨及猛爆性漲價潮。 供應鏈指出，產業缺貨從第3季開始「變天」，如今要搶貨已經來不及，多家內存模組廠10月可能出現無貨可買困境，韓系大廠「直接不給報價」，因為DDR5 DRAM顆粒已經無貨
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內存 服務器DRAM
我第一次聽說亞閾值數字設計技術是在許多個月前，但只是在相對簡單的產品實現（例如手表）的背景下。當我發現 Ambiq 的人們正在利用這項技術來設計整個超低功耗處理器時，我感到震驚。簡而言之，在傳統的 CMOS 設計中，晶體管使用遠高于 Vth（晶體管剛剛開始傳導電流的閾值電壓）的電源電壓在完全關斷和完全開啟狀態之間切換，對于現代 MCU，通常為 0.8V 至 1.0V。相比之下，Ambiq 的 SPOT 電路在亞閾值區域（通常約為 0.3-0.5 V）工作，該區域的電流呈指數級小。這將有功和漏電功耗降低一個
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邊緣AI 推理速度 內存
專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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3D-IC 芯片設計
總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業（有限合伙），上述兩筆
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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3D-IC設計
蘋果最新iPhone 17系列近日正式發售，A19芯片采用的是臺積電最新3納米N3P制程，下一代A20進入2納米時代，而Android陣營的聯發科、高通等CPU的3納米制程也進入尾聲，業界傳出，末代3納米制程CPU價格比前代上漲約20%，明年2納米制程將再增加逾50%的售價，加上內存、硬盤等供不應求， 半導體通脹正在發酵中。Android手機陣營的IC設計大廠聯發科、高通，將在本周先后發表最新的旗艦芯片天璣9500以及Snapdragon 8 Elite Gen 5，目前傳出2款芯片與A19芯片相同，皆采
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內存 臺積電 3納米 CPU 2納米
鉬作為當今半導體制造中常用的各種金屬的替代品，尤其是在前沿節點上，看起來越來越有希望。芯片制造商正在一個接一個地將先進節點的金屬從清單上劃掉。雖然釕襯里幾乎可以生產，但這種金屬還沒有準備好在高度規模的互連中取代銅。釕非常昂貴，目前的制造工藝也無濟于事。此外，imec 研究員 Zsolt T?kei 表示，大馬士革方案中“過度沉積和拋光”步驟產生的廢物量也是一個嚴重的問題。雖然減材金屬化減少了廢物量，但它需要對整個過程進行更重大、更昂貴的改變。銅并不是唯一跑道較短的金屬。晶體管觸點、內存中的字線和類似應用通
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鉬 縮放 內存
根據 The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結構上與 HBM 相似，芯片堆疊并通過硅通孔（TSV）連接。關鍵的區別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內存帶寬報告指出，金（Kim）強調當前 AI 受限于內存帶寬和容量。他解釋說，今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達 100 萬個 token
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隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發式增長，全球對算力的需求正以指數級態勢攀升。然而，人工智能的發展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統 HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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