原“SEMI-e深圳國際半導體展暨集成電路產業創新展”全面升級的IICIE國際集成電路創新博覽會將于2026年9月9日-11日在深圳國際會展中心（寶安）盛大啟幕，以“跨界融合?全鏈協同，共筑特色芯生態”為主題，構建覆蓋集成電路全產業鏈的高端交流平臺。本屆博覽會將進一步強調會議論壇的“思想引擎”，通過“數據預判+趨勢解讀+技術探討”等多種方式，集聚全球產業智慧，促進全產業鏈上下游、產學研用深度合作，為集成電路產業創新突破注入強勁動力。?三大板塊構筑全鏈交流矩陣，覆蓋產業核心需求本屆博覽會會議論壇板
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IICIE SEMI-e
半導體晶圓廠是全球科技供應鏈的核心支柱。但隨著這類設施成為關鍵基礎設施，其也逐漸淪為網絡威脅的主要攻擊目標。對于芯片制造商而言，維持生產不間斷運行的重要性極高。大型晶圓廠的生產中斷每小時可能造成數百萬美元的損失，任何生產故障都可能在全球范圍內引發連鎖反應。而隨著芯片及其制造晶圓廠成為地緣政治競爭的焦點，這一局面變得愈發復雜。為應對這些風險，芯片行業正重新思考晶圓廠的安全防護策略。行業組織和各國政府正搭建相關框架，助力保障晶圓廠內的工業控制系統安全，這類系統是監控和控制芯片制造流程的核心設備。2023 年末
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半導體 晶圓廠 SEMI 網絡安全
根據一份新的行業報告，隨著北京推動技術自給自足的推動，國內芯片制造商不斷擴產，預計中國將持續成為全球最大的半導體制造設備買家，直到2027年。行業協會SEMI表示，成熟節點和前沿工藝的持續投資將使中國至少持續成為芯片制造工具的最大市場直到2027年。盡管如此，協會預計銷售速度將放緩，2026年銷售開始逐步下降。你對全球最大的話題和趨勢有疑問嗎？通過SCMP Knowledge獲取答案，這是我們由屢獲殊榮團隊打造的新平臺，提供精選內容，包含解說、常見問題解答、分析和信息圖。臺灣和韓國預計在2027年前將分別
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芯片制造設備 SEMI
根據 SEMI 在 SEMICON West 上發布的最新 300 毫米晶圓廠展望報告，預計 2026 年至 2028 年間，全球 300 毫米晶圓廠設備支出將達到 3740 億美元。這一激增反映了區域晶圓廠的擴張、人工智能芯片需求的蓬勃發展以及全球半導體自給自足的推動。對于eeNews Europe的讀者來說，這些預測凸顯了芯片制造能力以及相應的設備機會下一步將擴大到哪里，從而影響歐洲不斷發展的半導體生態系統中的供應商、代工廠和材料供應商。人工智能和區域化推動晶圓廠擴張根據 SEMI 的數據，2025
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SEMI 300毫米 晶圓廠
根據 SEMI 的 300 毫米晶圓廠展望報告，到 2025 年，300 毫米晶圓廠設備的支出預計將達到 1070 億美元。預計該行業今年將增長 7%，到 2026 年將增長 9%，達到 1160 億美元，到 2027 年增長 4%，隨后增長 15%，到 2028 年全球總支出將達到 1380 億美元。未來三年，SEMI行業研究和統計總監Clark Tseng（如圖）在亞利桑那州鳳凰城的Semicon West發表講話時說，未來三年的總支出將達到3740億美元。“從這個數字來看，半導體行業的總資
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SEMI 半導體市場
2025 年第二季度的賬單環比增長 3%，這得益于領先的邏輯、先進的高帶寬內存 （HBM） 相關 DRAM 應用以及亞洲出貨量的增加。按地區劃分的半導體設備賬單 （CNW）米爾皮塔斯 — 服務于全球半導體和電子設計制造供應鏈的行業協會 SEMI 在其全球半導體設備市場統計 （WWSEMS） 報告中宣布，2025 年第二季度全球半導體設備賬單同比增長 24% 至 330.7 億美元。2025 年第二季度的賬單環比增長 3%，這得益于領先的邏輯、先進的高帶寬內存 （HBM） 相關 DRAM 應用以及亞洲出貨量
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SEMI 半導體設備
英特爾公司首席執行官兼 Cadence Design Systems 前首席執行官陳立武（Lip-Bu Tan） 將因在電子系統設計 （ESD） 方面的杰出貢獻而獲得 2025 年 Phil Kaufman 獎。SEMI技術社區電子系統設計聯盟（ESD聯盟）和電氣和電子工程師協會（IEEE）電子設計自動化委員會（CEDA）頒發的年度獎項將于11月6日在加利福尼亞州圣何塞舉行的菲爾·考夫曼獎頒獎典禮和宴會上頒發。這些組織正在表彰陳的領導能力和對可持續發展教育行業的影響。加州大學伯克利分校電氣工程與計算機科學
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陳立武 SEMI 菲爾·考夫曼獎
SEMI 硅制造商集團 （SMG） 在其對硅片行業的季度分析中報告稱，全球硅片出貨量從 2024 年同期記錄的 3,035 MSI 同比增長 9.6% 至 33.27 億平方英寸 （MSI）。環比來看，出貨量較今年第一季度的 2,896 MSI 環比增長 14.9%，表明內存之外的特定業務部門出現復蘇跡象。全球硅片出貨量 （MSI）SEMI SMG董事長兼GlobalWafers副總裁兼首席審計師李崇偉表示：“硅片對包括高帶寬內存（HBM）在內的人工智能數據中心芯片的需求仍
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SEMI 硅片出貨量
根據 SEMI 的年中半導體設備總量預測，預計 2025 年全球半導體制造設備的銷售額將創下 1255 億美元的新高，同比增長 7.4%。預計增長將持續到 2026 年，銷售額預計將達到 1381 億美元，這得益于對前沿邏輯、存儲器和下一代技術轉型的強勁需求。晶圓廠設備 （WFE） 部門，包括晶圓加工、晶圓廠設施和掩模/光罩設備，預計到 2025 年將增長 6.2%，達到 1108 億美元，超過之前的預測。增長將由代工和內存應用投資的增加帶動，在人工智能相關產能建設和高級工藝遷移的推動
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SEMI 半導體設備
隨著AI芯片及HPC需求急遽攀升，全球半導體產業正迎來先進封裝的新世代，今年SEMICON Taiwan將聚焦包括3DIC、面板級扇出型封裝（FOPLP）、小芯片（Chiplet）、共同封裝光學（CPO）等先進封裝技術，更令外界關注的是，籌備多時的SEMI 3DIC先進封裝制造聯盟（SEMI 3DICAMA）也將于9月正式啟動。 由于中國臺灣半導體供應鏈在全球具上下游完整的競爭優勢，先前中臺灣已組成CoWoS及硅光子二大供應鏈聯盟，外界高度關注的SEMI 3DIC先進封裝制造聯盟（SEMI 3D
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SEMI 先進封裝制造聯盟
SEMI 表示，半導體制造設備行業預計 2024-28 年的復合年增長率為 7%，到 2028 年將達到 1110 萬 wpm。一個關鍵的驅動因素是先進工藝產能（7nm 及以下）的擴張，預計將增長約 69%，從 2024 年的 850,000 wpm 增加到 2028 年的 140 萬 wpm，復合年增長率約為 14%。預計到 2028 年，先進工藝設備的資本支出將增長到 500 億美元以上，比 2024 年的 260 億美元增長 94%，復合年增長率為 18%2 納米及以下產能將從 2025 年的不到
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SEMI 半導體制造設備 先進晶圓
4 月 30 日消息，據《商業內幕》今日援引知情人士消息稱，特斯拉正在大幅加快 Semi 電動重卡的生產進程。三位知情人士透露，公司已在內華達州招聘逾千名工廠工人，加快兌現多年來對這款車型的量產承諾。過去幾個月，特斯拉安排這些新員工前往 Giga Sparks 工廠接受培訓并參觀設施。據其中兩人透露，此前負責 Semi 的工人不到 100 人，這一數字甚至還包括在加州試點生產線上的員工。本周一，特斯拉發布視頻宣布已完成工廠建設，目前正在安裝生產線。馬斯克早在 2017 年就首次公開了 Tesla Semi
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特斯拉 Semi 電動半掛卡車 生產
SEMI于硅晶圓產業年終分析報告中指出，2024年全球硅晶圓出貨量下降2.7%，來到122.66百萬平方英吋（million square inch， MSI），晶圓營收同樣下滑6.5%，至115億美元。 2024年晶圓廠利用率和特定用途晶圓出貨量，受到部分高產量類別終端需求疲軟沖擊，整體庫存調整速度也隨之放緩。SMG主席、環球晶副總經理暨稽核長李崇偉指出，生成式AI和新數據中心建置一直是高帶寬記憶體（HBM）等最先進代工和儲存裝置成長的重要驅動力，但其他終端市場大多還未能從過剩庫存的影響中完全恢復。 如
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SEMI 硅晶圓
美國加州時間2024年11月12日，根據SEMI旗下的Silicon Manufacturers Group (SMG)發布的最新硅晶圓季度分析報告，2024年第三季度，全球硅晶圓出貨量環比增長5.9%，達到3214百萬平方英寸（MSI），比去年同期的3010百萬平方英寸增長6.8%。SEMI SMG主席、GlobalWafers副總裁李崇偉表示：“第三季度硅晶圓出貨量延續了今年第二季度開始的上升趨勢。整個供應鏈的庫存水平有所下降，但總體上仍然很高，對用于人工智能的先進晶圓的需求仍然強勁。然而，汽車和工業
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SEMI 硅晶圓 出貨量
7月28日消息，SEMI日本辦事處總裁Jim Hamajima近日呼吁業界盡早統一封測技術標準，尤其是先進封裝領域。他認為，當前臺積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰，使用不同的封裝標準，這不僅影響了生產效率，也可能對行業利潤水平造成影響。目前僅臺積電、三星和Intel三家公司在先進制程芯片制造領域競爭，同時隨著芯片朝著高集成度、小特征尺寸和高I/O方向發展，對封裝技術提出了更高的要求。目前，先進封裝技術以倒裝芯片（Flip-Chip）為主，3D堆疊和嵌入式基板封裝（ED）的增長速度也非常快。HBM內
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SEMI 封裝 臺積電 三星 Intel
semi-conductor介紹
semi-conductor
半導體
SC
semi-conductor
半導體指最外電子層有4個電子的晶體材料,并且通過摻入某些雜質可以控制他的導電性.
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