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終極的3D集成將造就未來(lái)的顯卡
- 深入了解AMD或英偉達(dá)最先進(jìn)的AI產(chǎn)品包裝，你會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)熟悉的布局：GPU兩側(cè)被高帶寬內(nèi)存（HBM）覆蓋，這是市面上最先進(jìn)的內(nèi)存芯片。這些內(nèi)存芯片盡可能靠近它們所服務(wù)的計(jì)算芯片，以減少人工智能計(jì)算中最大的瓶頸——將數(shù)十億比特每秒從內(nèi)存轉(zhuǎn)化為邏輯時(shí)的能量和延遲。但如果你能通過(guò)將 HBM 疊加在 GPU 上，讓計(jì)算和內(nèi)存更加緊密結(jié)合呢？Imec最近利用先進(jìn)的熱仿真探討了這一情景，答案在2025年12月的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上給出，頗為嚴(yán)峻。3D疊加會(huì)使GPU內(nèi)部的工作溫度翻倍，使其無(wú)法使用。但
- 關(guān)鍵字： Imec GPU HBM 封裝
IMEC 在 UWB 上
- 自2000年代初以來(lái)，超寬路技術(shù)逐漸進(jìn)入需要安全且精細(xì)測(cè)距能力的各種商業(yè)應(yīng)用。著名的例子包括汽車和建筑的免提進(jìn)入解決方案、倉(cāng)庫(kù)、醫(yī)院和工廠中的資產(chǎn)定位，以及機(jī)場(chǎng)和購(gòu)物中心等大型空間的導(dǎo)航支持。UWB無(wú)線信號(hào)傳輸?shù)囊粋€(gè)特征是在時(shí)域內(nèi)發(fā)射非常短的脈沖。在脈沖-無(wú)線電（IR）超寬波技術(shù)中，這種速度被推向極致，發(fā)射納秒甚至皮秒級(jí)的脈沖。因此，在頻域中，它占用的帶寬遠(yuǎn)大于無(wú)線“窄帶”通信技術(shù)，如Wi-Fi和藍(lán)牙。UWB技術(shù)覆蓋廣泛的頻率范圍（通常范圍為6GHz到10GHz），信道帶寬約為500MHz及以上。因此，它
- 關(guān)鍵字： IMEC UWB imec
Imec 2026年的優(yōu)先事項(xiàng)與策略
- 首席執(zhí)行官Van den hove表示：“人工智能滲透到社會(huì)幾乎方方面面的速度簡(jiǎn)直令人震驚，”他補(bǔ)充說(shuō)，人工智能遠(yuǎn)比晶體管縮放更不可預(yù)測(cè)。“讓我們以大型語(yǔ)言模型（LLMs）為例，”他補(bǔ)充道。“雖然它們?nèi)杂锌赡茉谕苿?dòng)未來(lái)人工智能突破中發(fā)揮作用，但存在一個(gè)重大局限：它們并不是真正學(xué)習(xí)的——它們是經(jīng)過(guò)訓(xùn)練的。我相信下一代人工智能——智能人工智能、物理人工智能等——將由強(qiáng)化學(xué)習(xí)、持續(xù)學(xué)習(xí)和自體學(xué)習(xí)等機(jī)器學(xué)習(xí)方法驅(qū)動(dòng)。“這些學(xué)習(xí)方法將使人工智能系統(tǒng)能夠構(gòu)建內(nèi)部世界模型——而非依賴預(yù)訓(xùn)練的語(yǔ)言模型——并能夠適應(yīng)新情境
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imec與日本ASRA戰(zhàn)略合作旨在協(xié)調(diào)汽車芯片組架構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)化
- 今天，作為納米電子學(xué)和數(shù)字技術(shù)領(lǐng)域的世界領(lǐng)先的研究與創(chuàng)新中心，IMEC宣布與日本先進(jìn)汽車SoC研究（ASRA）合作，旨在協(xié)調(diào)汽車應(yīng)用芯片組架構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)化。Imec和ASRA已同意共同探索和推廣共享架構(gòu)規(guī)范，這讓合作伙伴相信他們開發(fā)的技術(shù)將具有可擴(kuò)展性、互作性和廣泛應(yīng)用性。作為首個(gè)里程碑，該倡議旨在于2026年中發(fā)布聯(lián)合公開規(guī)范文件——整合共享元素。芯片組技術(shù)將徹底革新汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)。它不再依賴僵化、單一的芯片架構(gòu)，而是利用模塊化構(gòu)建模塊，打造更強(qiáng)大、高效且靈活的系統(tǒng)，同時(shí)降低成本和開發(fā)時(shí)間。汽車行業(yè)顯然認(rèn)識(shí)到
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Imec推進(jìn)300毫米量子點(diǎn)型單紅外積分技術(shù)
- Imec展示了一種通過(guò)將膠體量子點(diǎn)光電二極管（QDPD）集成到300毫米CMOS晶圓上的超表面上，構(gòu)建緊湊型多光短波紅外（SWIR）傳感器的新方法。在2025年IEDM Conference上公布的成果表明，這將成為一個(gè)具有成本效益且高分辨率的SWIR成像平臺(tái)，有望顯著擴(kuò)展商業(yè)部署。這項(xiàng)工作值得關(guān)注的是，它使SWIR感應(yīng)更接近主流CMOS制造，為安全、汽車、工業(yè)檢測(cè)和智能農(nóng)業(yè)等新產(chǎn)品開辟了新機(jī)遇。為什么SWIR需要不同的方法短波紅外成像可以揭示可見光譜中看不見的材料差異和特征，使得從透視塑料和織物到改善霧
- 關(guān)鍵字： Imec 300毫米 量子點(diǎn) 單紅外積分技術(shù)
IPERLITE任務(wù)上的IMEC高光譜傳感器
- IPERLITE任務(wù)是一次在軌演示（IOD）飛行，旨在從510公里軌道展示下一代高光譜成像技術(shù)。IPERLITE任務(wù)的核心是由imec開發(fā)的高光譜傳感器，這是經(jīng)過(guò)多年ESA支持的研發(fā)成果，涉及多個(gè)比利時(shí)合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展。IPERLITE并非作為實(shí)際運(yùn)行衛(wèi)星，而是作為試驗(yàn)平臺(tái)——訪問(wèn)農(nóng)業(yè)遺址并收集光譜數(shù)據(jù)，以評(píng)估其創(chuàng)新有效載荷在真實(shí)軌道條件下的性能。IPERLITE為日益增長(zhǎng)的緊湊型高光譜任務(wù)做出貢獻(xiàn)，這些任務(wù)旨在普及光譜數(shù)據(jù)的獲取，補(bǔ)充CHIME和SBG等大型
- 關(guān)鍵字： IPERLITE IOD CMOS 探測(cè)器 imec
實(shí)現(xiàn)高密度正面和背面晶圓連接的途徑
- 晶圓到晶圓混合鍵合和背面技術(shù)的進(jìn)步將CMOS 2.0從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，為計(jì)算系統(tǒng)擴(kuò)展提供了更多選擇。在VLSI 2025 上，imec 研究人員展示了將晶圓間混合鍵合路線圖擴(kuò)展到250 nm 互連間距的可行性。他們還通過(guò)制造120 nm 間距的極小的貫穿介電通孔，在晶圓背面顯示出高度致密的連接。在晶圓兩側(cè)建立如此高密度連接的能力為開發(fā)基于CMOS 2.0 的計(jì)算系統(tǒng)架構(gòu)提供了一個(gè)里程碑，該架構(gòu)依賴于片上系統(tǒng)內(nèi)功能層的堆疊。基于CMOS 2.0 的系統(tǒng)還將利用包括供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）在內(nèi)的后端互連，其優(yōu)勢(shì)可
- 關(guān)鍵字： 202510 晶圓連接 VLSI 2025 imec
Imec 開設(shè)海爾布隆中心
- imec 首席執(zhí)行官 Luc Van den hove（如圖）、巴登-符騰堡州部長(zhǎng)兼總統(tǒng) Winfried Kretschmann 和經(jīng)濟(jì)事務(wù)、勞工和旅游部長(zhǎng) Nicole Hoffmeister-Kraut 博士在海爾布隆的 IPAI 園區(qū)正式為 imec 的新辦公室揭幕。海爾布隆中心致力于與德國(guó)工業(yè)和研究合作伙伴密切合作，推動(dòng)汽車行業(yè)向基于小芯片的架構(gòu)過(guò)渡。它說(shuō)明了當(dāng)?shù)赜绊懞蛧?guó)際相關(guān)性如何齊頭并進(jìn)。在落成典禮的同時(shí)，IPAI 園區(qū)還將舉辦本周的汽車小芯片論壇，來(lái)自汽車價(jià)值鏈中數(shù)十家公司的 100 多名
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Imec推出300mm GaN計(jì)劃以驅(qū)動(dòng)下一代功率器件
- Imec 啟動(dòng)了一項(xiàng)新的開放式創(chuàng)新計(jì)劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術(shù)。該計(jì)劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時(shí)降低制造成本，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體行業(yè)向前邁出了重要一步。對(duì)于eeNews Europe的讀者來(lái)說(shuō)，尤其是電力電子、半導(dǎo)體和代工生態(tài)系統(tǒng)的讀者，這一發(fā)展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變，這可能會(huì)加速氮化鎵在汽車、數(shù)據(jù)中心和可再生能源應(yīng)用中的采用。將氮化鎵擴(kuò)展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計(jì)劃是 imec GaN
- 關(guān)鍵字： Imec 300mm GaN 下一代功率器件
Imec為ADAS提供分布式雷達(dá)突破
- 實(shí)現(xiàn)更高的雷達(dá)精度需要多個(gè)雷達(dá)節(jié)點(diǎn)協(xié)同工作，這給在節(jié)點(diǎn)之間長(zhǎng)距離一致地分配共享本振 （LO） 信號(hào)而不會(huì)產(chǎn)生干擾或衰減帶來(lái)了重大挑戰(zhàn)。研究公司和創(chuàng)新中心 IMEC 最近解決了這一挑戰(zhàn)，在光纖通信會(huì)議和展覽會(huì) （OFC） 上推出了所謂的開創(chuàng)性概念驗(yàn)證，即支持光子學(xué)的碼分復(fù)用 （CDM） 調(diào)頻連續(xù)波 （FMCW） 144 GHz 分布式雷達(dá)系統(tǒng)。Imec 的光子 CDM FMCW 144-GHz 分布式雷達(dá)系統(tǒng)可能會(huì)改變下一代高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 和高精度傳感應(yīng)用，滿足
- 關(guān)鍵字： Imec ADAS 分布式雷達(dá)
ASML、imec簽署五年期戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 自ASML官網(wǎng)獲悉，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月11日，ASML宣布同比利時(shí)微電子研究中心（imec）簽署新的戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議，重點(diǎn)關(guān)注半導(dǎo)體研究與可持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)悉，該協(xié)議為期五年，旨在開發(fā)推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的解決方案，并制定以可持續(xù)創(chuàng)新為重點(diǎn)的計(jì)劃。此次合作涵蓋了阿斯麥的全部產(chǎn)品組合，這些設(shè)備將導(dǎo)入由imec牽頭建設(shè)的后2nm制程前沿節(jié)點(diǎn)SoC中試線NanoIC，研發(fā)的重點(diǎn)領(lǐng)域還將包括硅光子學(xué)、存儲(chǔ)器和先進(jìn)封裝，為未來(lái)基于半導(dǎo)體的人工智能應(yīng)用在不同市場(chǎng)提供全棧創(chuàng)新。
- 關(guān)鍵字： ASML IMEC 芯片制程 2nm
一粒沙，一個(gè)充滿希望的世界
- 這不是末日災(zāi)難電影的場(chǎng)景，而是來(lái)自1984年的一手記述（誠(chéng)摯為你的手筆）。當(dāng)時(shí)，現(xiàn)代的通訊技術(shù)正要興起，埃塞俄比亞在努力應(yīng)對(duì)人權(quán)危機(jī)，而導(dǎo)致艾滋病（AIDS）的人類免疫缺乏病毒（HIV）持續(xù)在全球遍布恐懼。我們已經(jīng)擺脫這些挑戰(zhàn)了嗎？ 很不幸，答案沒(méi)那么簡(jiǎn)單。舉例來(lái)說(shuō)，雖然用來(lái)對(duì)抗流行病的藥物已經(jīng)達(dá)到史無(wú)前例的完善程度，但最近的歷史提醒著我們一種病毒能對(duì)我們的社會(huì)造成多么深刻的破壞。人類的希望—嵌入一粒沙我們已經(jīng)擺脫這些挑戰(zhàn)了嗎？ 很不幸，答案沒(méi)那么簡(jiǎn)單。舉例來(lái)說(shuō)，雖然用來(lái)對(duì)抗流行病的藥物已經(jīng)達(dá)到史無(wú)前例的
- 關(guān)鍵字： imec 半導(dǎo)體
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM
imec展示單片式CFET功能組件 成功垂直堆棧金屬接點(diǎn)
- 于本周舉行的2024年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術(shù)形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點(diǎn)（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進(jìn)行接點(diǎn)圖形化，不過(guò)imec也展示了改從晶圓背面處理接點(diǎn)圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
- 關(guān)鍵字： imec 單片式 CFET 功能組件 垂直堆棧金屬接點(diǎn)
imec 介紹
IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是歐洲領(lǐng)先的獨(dú)立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設(shè)計(jì)方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設(shè)計(jì)；硅加工工藝；硅制程技術(shù)和元件整合；納米技術(shù)，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽(yáng)能電池；以及微電子領(lǐng)域的高級(jí)培訓(xùn) [ 查看詳細(xì) ]
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