super junction mosfet 文章最新資訊

iDEAL Semiconductor以SuperQ? MOSFET為高壓電池設(shè)定新安全標(biāo)準(zhǔn)

?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術(shù)，專門設(shè)計(jì)用來解決高壓（72V 及更高）電池管理系統(tǒng)（BMS）中關(guān)鍵的安全與效率權(quán)衡問題。此新平臺(tái)為 BMS 放電開關(guān)的最重要安全指標(biāo)——短路耐受能力（SCWC）——設(shè)定了業(yè)界基準(zhǔn)。電動(dòng)移動(dòng)、無人機(jī)與專業(yè)電動(dòng)工具中高壓電池組的普及帶來了高風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)：在外部短路事件中防止災(zāi)難性故障，此時(shí)電流可能激增至數(shù)千安培。放電 MOSFET 是唯一負(fù)責(zé)在這些極端條件下隔離電池組的元件。“在高能量
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內(nèi)阻很小的MOS管為什么會(huì)發(fā)熱？

Source、Drain、Gate分別對(duì)應(yīng)場效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對(duì)漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1、 Drain-》Source穿通擊穿? ? ? &n
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PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務(wù)器和人工智能電源實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度

內(nèi)容摘要400V SiC MOSFET技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對(duì)其優(yōu)勢進(jìn)行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3.3kW的功率。該設(shè)備采用三電平飛跨電容圖騰柱PFC。文中討論了啟動(dòng)期間對(duì)飛跨電容充電的注意事項(xiàng)。PSU的尺寸為72mmx40mmx192mm，在230VAC輸入電壓下，PSU總峰值效率超過97.6%，功率密度大于100W/in3。簡介服務(wù)器和電信應(yīng)用的發(fā)展趨勢是功率密度不斷提高。例如，開
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埃安UT super發(fā)布：租電池4.99萬京東獨(dú)家銷售

11月10日消息，近日京東聯(lián)合廣汽集團(tuán)、寧德時(shí)代發(fā)布埃安UT super車型，電池租用購車價(jià)4.99萬元，整車購買價(jià)8.99萬元。該車在京東平臺(tái)獨(dú)家銷售。據(jù)了解，該車搭載寧德時(shí)代巧克力電池，續(xù)航500公里，支持99秒極速換電；軸距2750mm，配備華為云車機(jī)系統(tǒng)及倒車哨兵等功能。據(jù)悉，三方推出返現(xiàn)、增值和價(jià)保三大權(quán)益。返現(xiàn)方面，前15000名下定用戶可享補(bǔ)貼，租電版補(bǔ)貼后到手價(jià)低至4.54萬元。增值權(quán)益包括電池月租金限時(shí)降至399元/月等。價(jià)保權(quán)益承諾180天內(nèi)降價(jià)可獲10倍差額賠付。該車即日起可在京東A
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英飛凌擴(kuò)展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這
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英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET

各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應(yīng)用場景為核心的設(shè)計(jì)理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業(yè)與消費(fèi)市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS
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英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

電動(dòng)汽車充電、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應(yīng)用場景，正推動(dòng)市場對(duì)更高系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預(yù)期。同時(shí)，這些需求也帶來了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行、在應(yīng)對(duì)瞬態(tài)過載時(shí)如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、
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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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韓國在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現(xiàn)在，韓國也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開啟了韓國首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報(bào)道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設(shè)施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。如《韓國先驅(qū)報(bào)》所強(qiáng)調(diào)，釜山廣域市政府將項(xiàng)目的完成視為一個(gè)關(guān)鍵里程碑，旨在提升國內(nèi)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)并
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iDEAL推出具有行業(yè)領(lǐng)先性價(jià)比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導(dǎo)體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過25年來的首次重大進(jìn)步，突破了長期存在的開關(guān)和導(dǎo)通限制。它在性能和效率方面實(shí)現(xiàn)了階躍式提升，同時(shí)保留了硅的核心優(yōu)勢：堅(jiān)固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進(jìn)入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
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英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

隨著全球汽車行業(yè)電氣化進(jìn)程的加速，市場對(duì)高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領(lǐng)域如此，電動(dòng)兩輪車領(lǐng)域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，能夠應(yīng)對(duì)技術(shù)、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日宣布擴(kuò)展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合，推出新型車規(guī)級(jí)150V MOSFET產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電動(dòng)汽車的嚴(yán)苛要求量身打造，并
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iDEAL 半導(dǎo)體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領(lǐng)先的成本×性能

iDEAL 半導(dǎo)體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外還有四個(gè) 200V 器件正在進(jìn)行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術(shù)的第一個(gè)重大進(jìn)步，突破了長期存在的開關(guān)和導(dǎo)通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時(shí)，保留了硅的核心優(yōu)勢：堅(jiān)固性、大規(guī)模可制造性和在 175°C 下經(jīng)過驗(yàn)證的可靠性。首個(gè)進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級(jí)：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術(shù)，通過施加電流并測量電壓與時(shí)間來推導(dǎo)電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術(shù)在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項(xiàng)優(yōu)勢。比如僅需 1 臺(tái)帶前
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1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）中實(shí)現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發(fā)表]。通常，臺(tái)面蝕刻端接（MET）用于電隔離 GaN 半導(dǎo)體器件。然而，這會(huì)導(dǎo)致相對(duì)尖銳的拐角，電場往往會(huì)擁擠，導(dǎo)致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅（SiC）
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