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07-25 11種封裝的國產(chǎn)碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產(chǎn)品介紹應(yīng)用

Ewyas|瀏覽：1645|回復(fù)：3| Ewyas 2025-08-07 13:58:53

07-25 11種封裝的國產(chǎn)碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產(chǎn)品介紹應(yīng)用

Ewyas|瀏覽：3196|回復(fù)：4| Ewyas 2025-08-07 13:59:06

07-07 碳化硅高速電機(jī)控制器設(shè)計(jì)及效能分析

Ewyas|瀏覽：798|回復(fù)：1| Ewyas 2025-07-24 08:59:12

04-15 麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項(xiàng)目問題

seving|瀏覽：1055|回復(fù)：0| seving 2025-04-15 14:47:21

06-18 六月盲盒，第四關(guān)：認(rèn)識(shí)大功率、高性能汽車類SiC牽引逆變器

咔嚓貓愛刺魚|瀏覽：12606|回復(fù)：94| lihaiyan 2023-06-29 12:25:55

02-09 了解SiC器件的命名規(guī)則

睡夢(mèng)中的雄師|瀏覽：916|回復(fù)：0| 睡夢(mèng)中的雄師 2023-02-09 09:37:03

10-24 SiC器件之外延層基礎(chǔ)知識(shí)

睡夢(mèng)中的雄師|瀏覽：1895|回復(fù)：2| bwcx957 2022-10-24 07:37:21

07-21 一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的導(dǎo)通電阻差異特性

睡夢(mèng)中的雄師|瀏覽：1797|回復(fù)：0| 睡夢(mèng)中的雄師 2022-07-21 20:25:17

07-06 SiC肖特基勢(shì)壘二極管更新?lián)Q代步履不停

未來的我|瀏覽：2109|回復(fù)：17| zwk34 2022-07-11 08:52:14

06-06 請(qǐng)問為什么SiCwafer的邊緣缺陷密度更大？

strandtju|瀏覽：865|回復(fù)：0| strandtju 2022-06-06 10:56:15

05-11 設(shè)計(jì)中使用的電源IC：專為SiC-MOSFET優(yōu)化

kutta|瀏覽：965|回復(fù)：0| kutta 2022-05-11 19:28:55

04-13 －優(yōu)點(diǎn)篇－使采用了SiCMOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易

未來的我|瀏覽：1617|回復(fù)：9| suncat0504 2022-04-14 11:31:20

04-11 采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

未來的我|瀏覽：1731|回復(fù)：1| mj8abcd 2022-04-11 15:23:44

04-11 在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

丘球|瀏覽：960|回復(fù)：0| 丘球 2022-04-11 11:40:35

04-11 SiC-SBD的產(chǎn)品陣容支持車載的650V/1200V、5A～40A

丘球|瀏覽：1270|回復(fù)：6| llggxx 2022-04-13 12:57:43

03-29 應(yīng)用在軍工和工業(yè)電源，汽車新能源的碳化硅MOS管

碳化硅MOS管|瀏覽：2703|回復(fù)：13| pchua65 2022-03-31 14:12:20

03-19 設(shè)計(jì)中使用的電源IC：專為SiC-MOSFET優(yōu)化

拜月|瀏覽：750|回復(fù)：0| 拜月 2022-03-19 19:51:39

12-16 SiCMOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

未來的我|瀏覽：1049|回復(fù)：2| 大華K 2021-12-16 20:13:53

12-16 SiCMOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

未來的我|瀏覽：878|回復(fù)：2| 大華K 2021-12-16 20:14:02

12-16 SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiCMOSFET

未來的我|瀏覽：840|回復(fù)：1| 水方 2021-12-16 19:50:00

12-16 所謂SiC-MOSFET－特征

kutta|瀏覽：917|回復(fù)：1| 水方 2021-12-16 19:50:07

12-16 所謂SiC-MOSFET－功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

kutta|瀏覽：859|回復(fù)：1| 水方 2021-12-16 19:50:13

12-16 所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別

kutta|瀏覽：1164|回復(fù)：2| 水方 2021-12-16 19:50:21

12-16 所謂SiC-MOSFET－體二極管的特性

kutta|瀏覽：1522|回復(fù)：2| 水方 2021-12-16 19:51:22

12-16 所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

kutta|瀏覽：959|回復(fù)：2| 水方 2021-12-16 19:51:30

12-16 所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

kutta|瀏覽：1129|回復(fù)：2| 水方 2021-12-16 19:51:37

12-16 所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性

kutta|瀏覽：1409|回復(fù)：1| 未來的我 2021-12-16 19:25:28

12-14 所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)

拜月|瀏覽：882|回復(fù)：1| 盧風(fēng) 2021-12-14 23:41:03

12-14 所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程

拜月|瀏覽：1062|回復(fù)：2| 盧風(fēng) 2021-12-14 23:40:02

12-14 所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較

拜月|瀏覽：1092|回復(fù)：1| 盧風(fēng) 2021-12-14 23:39:53

12-14 所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

拜月|瀏覽：1169|回復(fù)：2| 盧風(fēng) 2021-12-14 23:39:48

12-14 所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較

拜月|瀏覽：1030|回復(fù)：2| 盧風(fēng) 2021-12-14 23:39:42

12-14 SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

丘球|瀏覽：1131|回復(fù)：5| 盧風(fēng) 2021-12-14 23:39:28

05-19 【羅姆SiC評(píng)估板試用】P02SCT3040KR-EVK-001初體驗(yàn)

jobs|瀏覽：3265|回復(fù)：2| jobs 2021-05-28 16:57:12

05-17 【羅姆SiC評(píng)估板試用】基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

toothless94|瀏覽：4478|回復(fù)：8| toothless94 2021-05-28 16:18:47

05-16 【羅姆SiC評(píng)估板試用】射頻熱凝控制儀測試

三石成磊|瀏覽：6357|回復(fù)：14| 黑杰克 2022-02-13 23:11:51

05-08 【羅姆SiC評(píng)估板試用】快充測試

胡世|瀏覽：3875|回復(fù)：6| yinwuqing 2022-02-06 18:34:16

05-06 【羅姆SiC評(píng)估板試用】低壓電源開發(fā)測試

wujiaming9876|瀏覽：3236|回復(fù)：3| crry 2021-05-21 09:39:05

03-19 【展示】羅姆SiC MOSFET評(píng)估板免費(fèi)試用！(已結(jié)束

白柴|瀏覽：12145|回復(fù)：35| 白柴 2021-07-09 16:46:26

02-18 SiC-MOSFET－功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

nakey|瀏覽：2329|回復(fù)：3| aoqdjt 2020-03-10 14:30:07

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