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IGCT

集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發射極技術的新型大功率半導體開關器件，具有晶閘管的通態特性及晶體管的開關特性。由于采用了緩沖結構以及淺層發射極技術，因而使動態損耗降低了約50％，另外，此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態特性的續流二極管，從而以其獨特的方式實現了晶閘管的低通態壓降、高阻斷電壓和晶體管穩定的開關特性有機結合。 IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。查看更多>>

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