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物理AI蓄勢待發(fā)，存儲準備好了嗎？

人工智能不會一直停留在虛擬世界，在CES 2026上，我們看到AI正在以極快的速度向消費級產品、邊緣計算、物理終端進發(fā)，從更高算力的AI PC，到高度智能的AI眼鏡，再到能夠感知、理解現實世界的物理AI，生活與工作效率正...

KIOXIA 鎧俠 2026-01-30

三星擬將iPhone用LPDDR價格環(huán)比上調超80%

三星電子與SK海力士可能大幅上調供應給蘋果iPhone的LPDDR內存價格。據ZDNet援引業(yè)內人士消息，兩家公司已在2026年第一季度與蘋果就LPDDR供貨價格展開談判，并提出顯著漲價要求：三星電子尋求環(huán)比（QoQ）漲...

三星 iPhone 2026-01-29

DDR5內存現在可能比PlayStation 5還貴

64GB DDR5內存的平均價格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預計要花比買電腦更高的價格。價格還在上漲：PC內存的價格已經高到64GB?DDR5內存包輕松超過500美元，甚至超過索尼PlayStatio...

DDR 內存 2025-11-25

美光出貨車用UFS 4.1：解鎖快速、安全、可靠的智能出行體驗

汽車計算大會（Automotive Computing Conference，ACC）?—?美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，其車用通用閃存（UFS）4.1?解決方案的認證樣品已開始向全球客戶出貨。...

美光車用UFS 4.1 2025-11-17

中國存儲器市場價格每天都在上漲：16GB DDR4模組10月飆升160%

由于內存超級周期沒有放緩的跡象，定價已經從季度周期轉向快速、每月甚至每日調整。第一財經援引中國最大的電子中心深圳華強北的交易員的話報道稱，飆升速度如此之快，就像“每天都有新價格”，這是多年來罕見的速度。DDR4 和 DD...

存儲 DDR 2025-11-06

DDR 的 PCB布局及走線要求

1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據器...

DDR PCB設計 2025-05-06

用上車規(guī)級UFS 4.0，讓出行變得高效且可靠

2025上海國際車展如火如荼展開，新能源車型不斷升級，更好的電動化、智能化成為提升產品競爭力的重要途徑之一。無論大尺寸中控屏、HUD、流媒體、DMS（駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)）、娛樂系統(tǒng)都將對存儲性能提出新的需求，車輛平均存儲數據...

UFS 4.0 上海國際車展 2025-04-24

Sandisk閃迪推出首款車規(guī)級UFS 4.1存儲解決方案，專為先進車載AI系統(tǒng)所打造

Sandisk閃迪公司于近日正式發(fā)布了首款采用UFS 4.1標準的車規(guī)級產品Sandisk? iNAND? AT EU752 UFS4.1 嵌入式閃存驅動器（EFD），進一步拓展其基于先進車規(guī)級存儲技術的豐富產品組合。軟...

Sandisk 閃迪 2025-03-17

Sandisk閃迪攜UFS 4.1存儲解決方案亮相CFMS

公司以系統(tǒng)級解決方案推動AI時代的持續(xù)創(chuàng)新全球閃存及先進存儲技術的創(chuàng)新企業(yè)Sandisk閃迪公司于今日亮相CFMS | MemoryS 2025（展位號：T07），展示了其覆蓋數據中心、汽車、移動端及消費端的全方位創(chuàng)新閃...

Sandisk 閃迪 2025-03-12

車規(guī)級UFS 4.0將變得愈發(fā)重要

車載中控屏幕和智能駕駛的不斷升級，已經成為影響我們智能出行的重要因素。流暢的車載智能系統(tǒng)交互與功能擴展已經成為基本盤。就目前而言，車輛平均存儲數據大約在35GB左右，但隨著智能體驗、高階輔助駕駛實裝，數百GB到上TB的存...

車規(guī)級UFS 4.0 UFS 4.0 2024-12-02

手機性能升級，UFS 4.0的角色很關鍵

智能手機已經成為我們不可或缺的AI設備，隨身運行的大模型，人工智能圖像與視頻識別，讓手機的易用程度又向上提升了一個臺階。特別是隨著驍龍8至尊版正式發(fā)布，新一輪的裝備升級勢在必行。更強的CPU、GPU和NPU給端側的AI性...

手機性能 UFS 4.0 2024-10-30

電源DDR硬件設計技巧

1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有專門的VDD...

電源設計 DDR 2024-07-19

江波龍車規(guī)級/工業(yè)寬溫級/工規(guī)級 eMMC

受原廠減產，以及需求逐步復蘇的影響拉動，目前半導體存儲產業(yè)進入上行周期，存儲晶圓以及存儲器的價格均較年初有明顯上升，半導體存儲行業(yè)目前處于上行復蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領先廠商，公司在eMMC向UFS過渡關鍵時點仍然...

江波龍 eMMC 2024-05-17

雙倍數據速率（DDR）內存簡介

了解雙數據速率（DDR）存儲器的關鍵概念和圍繞這一數字通信技術的應用，其中兩個數據字在一個時鐘周期內傳輸。串行數據傳輸比并行數據傳輸具有重要優(yōu)勢，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數據的...

雙倍數據速率 DDR 2024-05-17

鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片：連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%

IT之家 4 月 23 日消息，鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可選，專為包括高端智能手機在內的下一代移動應用打造。256GB：THGJFMT1E4...

鎧俠 UFS 4.0 閃存芯片 2024-04-23

綠芯將在2024嵌入式展會展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤

綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會 ((embedded world 2024)，4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDr...

綠芯嵌入式展會 2024-04-03

存儲大廠現場展示HBM3E產品

近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產，并預計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB ...

DDR 美光科技 2024-03-21

集邦咨詢：存儲新技術DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3...

存儲 DDR 2024-03-16

2024年，存儲新技術DDR、HBM等大放異彩！

DDR GDDR6 2024-03-15

美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品

2月28日，存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后，美光進...

美光 UFS 2024-03-04

美光高性能內存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗

2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新...

美光內存 2024-03-01

美光推出業(yè)界領先的緊湊封裝型 UFS，助力下一代智能手機設計搭載更大容量電池

2024 年 2 月28日，中國上海 – Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS）4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固...

美光緊湊封裝型 2024-02-28

鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社近日宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款(2)面向車載應用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品(1)。新產品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于多種...

鎧俠 UFS 4.0 2024-01-31

DDR硬件設計要點

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VD...

DDR 內存 2024-01-25

你所需要知道的HBM技術

在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權...

HBM DDR 2023-12-22

綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價比VX系列固態(tài)硬盤，以擴展其eMMC NANDrive? 產品組合

EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達40萬擦寫次數；高性價比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國，北京和美國，硅谷 - EQS Ne...

綠芯固態(tài)硬盤 2023-12-20

三星將推出新版UFS 4.0存儲將為智能手機運行時的AI進行優(yōu)化

配備 Snapdragon 8 Gen 3 和 Dimensity 9300 芯片組的智能手機現在可以運行設備上的 LLM（大型語言模型），使其具有與更大的機器相同的功能。不幸的是，在手機上運行人工智能相關程序是一項資...

UFS 三星 2023-11-29

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內存，然后通過cpu調用各種配件進行工作這時...

ROM RAM 2023-07-18

鎧俠推出第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備

為了繼續(xù)推動通用閃存(1)（UFS）技術的發(fā)展，全球存儲器解決方案的領導者鎧俠株式會社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代...

鎧俠 UFS 4.0 2023-06-05

立足優(yōu)勢持續(xù)領先：KIOXIA鎧俠新一代UFS嵌入式閃存器件已批量交貨

2022年12月8日，中國上海 — 全球存儲器解決方案領導者KIOXIA鎧俠中國近日宣布，今年其最新發(fā)布的業(yè)界首款*1支持MIPI M-PHY*2 v5.0的通用閃存*3Universal Flash Storage (...

KIOXIA 鎧俠 2022-12-08

美光車規(guī)級內存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗

全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應...

美光智能座艙 2022-08-03

燦芯半導體推出兩項創(chuàng)新技術用于DDR物理層

一站式定制芯片及IP供應商——燦芯半導體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應）兩項技術。這兩項技術已經開始在12/14 FinFET, 22/28...

燦芯 DDR 2022-07-07

7200MHz! DDR4內存超頻記錄被刷新

　　DDR4內存已經誕生了有10年之久，從一開始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構升級后，現在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以說這十年以來，...

DDR 2021-04-27

Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案

領先的移動和汽車SoC半導體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺積公司22nm工藝技術的eMMC PHY IP立即可用加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Ar...

Arasan 臺積 2021-01-21

NVIDIA選用新思科技經驗證DesignWare DDR IP核

重點：高質量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個通道多個DIMM，滿足NVIDIA的網絡數據速率和內存容量要求基于固件的現場可升...

云計算 NVIDIA 2020-08-12

燦芯半導體為NVDIMM OEM提供完整解決方案

國際領先的定制化芯片（ASIC）設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商——燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）近日對外宣布為一家著名的NVDIMM供應商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非...

OEM DDR 2020-07-23

宏旺半導體ICMAX置辦全自動化大型DDR測試機臺填補國內市場空白

在國內疫情尚還未完全好轉的情況下，全球疫情開始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛，更是給全球半導體領域投下了“重磅炸彈”。...

宏旺半導體 DDR 2020-03-17

西數推出iNAND IX EM132嵌入式工業(yè)級eMMC SSD

2019年，西部數據（WD）推出了首款面向工業(yè)和物聯網應用的嵌入式 eMMC 存儲設備，它就是 iNAND IX EM132 驅動器。?其基于該公司的 64 層 BiCS3 3D TLC NAND 閃存打造，讀速高達 3...

西數嵌入式 2020-02-24

西部數據為5G時代的移動應用強勢賦能

西部數據近日新推出了一款嵌入式通用閃存存儲（UFS, Universal Flash Storage）設備——西部數據 iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手機的用戶體驗。作為最早支持實現UFS3.1 ...

UFS 解決方案 2020-02-19

三星UFS存儲卡現身IFA：順速讀取速度達510.82MB/s

9月10日消息，據WinFuture報道，三星UFS存儲卡現身IFA2019展會，它被裝在了海信T91手機上。...

三星存儲卡 2019-09-11

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