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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術(shù)鑒定

近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目技術(shù)難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目聚焦新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨?..

中國電科 55所 2023-05-23

國內(nèi)首款！中國電科網(wǎng)通超高頻射頻識(shí)別芯片批量交付

近日，中國電科網(wǎng)絡(luò)通信研究院研發(fā)的超高頻射頻識(shí)別芯片陸續(xù)交付用戶。該款芯片是國內(nèi)首款完全符合特定標(biāo)準(zhǔn)的射頻識(shí)別芯片，已成功應(yīng)用于標(biāo)識(shí)牌系統(tǒng)中，為個(gè)人信息標(biāo)識(shí)、相關(guān)信息存儲(chǔ)提供安全保障。中國電科表示...

中國電科超高頻識(shí)別芯片 2023-01-05

我國在微波集成電路領(lǐng)域首次主導(dǎo)制定，中國電科發(fā)布兩項(xiàng)半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)

IT之家?12 月 7 日消息，據(jù)中國電子科技集團(tuán)有限公司（中國電科）消息，近日，由中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院主導(dǎo)制定的兩項(xiàng)半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布，這也是我國在微波集成電路領(lǐng)域首次提出并主導(dǎo)制定的國際標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)介紹，兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)瞄...

中國電科 5G 2022-12-08

中國高能離子注入機(jī)核心技術(shù)難關(guān)得到突破！

據(jù)“中國電科”報(bào)道，國內(nèi)高能離子注入機(jī)核心技術(shù)難關(guān)得到突破！由中國電科所屬北京爍科中科信設(shè)備研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主研制的國內(nèi)首臺(tái)高能離子注入機(jī)已順利進(jìn)駐國內(nèi)先進(jìn)集成電路大生產(chǎn)線。作為集成電路芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入機(jī)設(shè)備的研制...

高能離子注入機(jī) 中國電科 2022-09-27

中國電科55所兩項(xiàng)目獲得國家支持

　　近日，中國電科55所國博公司上報(bào)的《2012-2014年集成電路企業(yè)研發(fā)能力實(shí)施方案》，憑借過硬的產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)、良好的發(fā)展前景、具體的可行方案，順利通過評(píng)審，獲得國家發(fā)改委和財(cái)政部項(xiàng)目支持。　　在“十二五”期間，...

中國電科射頻集成電路 2011-11-25

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中國電科

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術(shù)鑒定

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場

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