EEPW
技術(shù)應(yīng)用
光電倍增管Top 基于外光電效應(yīng)和二次電子發(fā)射效應(yīng)的電子真空器件。它利用二次電子發(fā)射使逸出的光電子倍增,獲得遠(yuǎn)高于光電管的靈敏度,能測量微弱的光信號。光電倍增管包括陰極室和由若干打拿極組成的二次發(fā)射倍增系統(tǒng)兩部分(見圖)。陰極室的結(jié)構(gòu)與光陰極K的尺寸和形狀有關(guān),它的作用是把陰極在光照下由外光電效應(yīng)(見光電式傳感器)產(chǎn)生的電子聚焦在面積比光陰極小的第一打拿極D1的表面上。
HBM4競爭格局生變
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