EEPW
技術應用
磁阻效應Top目錄 [url]概述 發展經歷 應用 實驗原理 [/url] 概述 磁阻效應(Magnetoresistance Effects)是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。同霍爾效應一樣,磁阻效應也是由于載流子在磁場中受到洛倫茲力而產生的。在達到穩態時,某—速度的載流子所受到的電場力與洛倫茲力相等,載流子在兩端聚集產生霍爾電場,比該速度慢的載流子將向電場力方向偏轉,比該速度快的載流子則向洛倫茲力方向偏轉。這種偏轉導致載流子的漂移路徑增加。
HBM4競爭格局生變
長江存儲進入加速期,三期項目計劃今年建成投產
國產半導體設備加速崛起
上調100%!存儲市場又一重磅調價信號
插混車型成為“突破口”:中國車企在歐洲市場的銷量再創新高
2026-02-17 摩爾線程 Qwen3.5
2026-02-13 XMOS 語音交互
2026-02-13 英飛凌 陽光電源
2026-02-13 Ceva Wi-Fi 6 IP 藍牙IP 瑞薩 組合式MCU
2026-02-13 測試測量 Pickering 信號開關與仿真
2026-02-13 羅蘭貝格 Jonas Andrulis 人工智能應用
2026-02-13 應用材料公司 2026財年第一季度
2026-02-13 平板市場 國補 換機
2026-02-13 PCB
2026-02-13 PCB 硅谷