EEPW
技術應用
一、原理簡介 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產生電位差,這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為 U=K·I·B 其中K為霍爾系數,I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。 由此可見,霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。 霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件,它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。
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