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30nm技術(shù)社區(qū)

技術(shù)資訊

30nm

30nm的相關(guān)技術(shù)資訊、30nm的技術(shù)資料、30nm的電路設(shè)計方案、30nm的視頻資料、30nm的相關(guān)元器件資料以及30nm的技術(shù)應(yīng)用。

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30nm資訊

美光發(fā)布新款內(nèi)存：30nm工藝用于超輕薄設(shè)備

?　　三星昨日宣布量產(chǎn)面向下一代智能手機和平板機等便攜設(shè)備的3xnm 2GB LPDDR3內(nèi)存芯片，美光今天也宣布了另外一種DDR3內(nèi)存的登場：30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經(jīng)開始批量供應(yīng)，主要針對超極本...

美光 30nm 2012-09-19

三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

　　韓國三星公司近日宣布將開始量產(chǎn)基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的32GB內(nèi)存條，這款內(nèi)存條產(chǎn)品將主要面向云計算以及高檔服務(wù)器應(yīng)用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3產(chǎn)品,三星30nm制程4Gb DDR3...

三星 30nm 2011-06-02

爾必達全面量產(chǎn)30nmDRAM

　　日本爾必達存儲器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始...

爾必達 30nm 2011-05-03

爾必達推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

　　最近，內(nèi)存顆粒的工藝進步速度非常快，最先進的30nm工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDR...

爾必達 DDR3 2010-10-09

三星推出30納米制程SSD 支持TRIM

　　三星今天公布了型號為470的SSD產(chǎn)品系列，它們分為64/128/256GB三個版本售價分別為199、399和699美元。這種SSD采用30nm MLC閃存打造，內(nèi)置雙控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接...

三星 30nm 2010-08-24

三星與東芝聯(lián)合加快NAND Flash速度

　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個合作計劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了...

三星 NAND 2010-07-26

三星量產(chǎn)全球首款30nm級工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒

　　三星電子今天宣布，已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達1866MH...

三星電子內(nèi)存 2010-07-22

三星宣布開始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

　　今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)...

三星 30nm 2010-07-22

三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)...

三星電子 DRAM 2010-02-02

三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值...

三星 30nm 2009-12-07

三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片

　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶...

三星 30nm 2009-12-02

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