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FDSOI

  FDSOI技術(shù)即全耗盡型SOI技術(shù),有些文獻上也寫成ETSOI即超薄型SOI,具有非常強的競爭力,適合20nm及更高級別制程的移動/消費電子產(chǎn)品使用。  FD-SOI是下一代晶體管結(jié)構(gòu)的熱門技術(shù)之一。目前制造晶體管的主流技術(shù)是采用體硅技術(shù)制作的32/28nm制程平面型晶體管。  AMD,IBM以及其它部分廠商目前則在使用基于部分耗盡型SOI技術(shù)的平面型晶體管制造自己的處理器產(chǎn)品。

  • FDSOI資訊

格芯技術(shù)大會攜最新技術(shù)突出中國市場重要地位

GTC FDSOI 2017-11-09

局部應(yīng)變技術(shù)可望提高FDSOI性能

FDSOI 2015-12-18

法機構(gòu)將于明年9月啟動基于20nm FDSOI的300mm多項目晶片研究計劃

FDSOI 20nm 2010-10-03
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