高义扒掉白洁丁字裤视频,欧美肥婆性猛交xxxx,国产免费完整高清电视剧在线看

第16講：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）...

三菱電機 SiC 2025-03-07

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。...

ROHM SiC MOSFET 2023-03-23

Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) ...

Diodes 碳化硅 2023-02-08

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。...

SiC 碳化硅 2022-03-19

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。...

SiC 碳化硅 2022-03-19

SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。...

碳化硅 SiC 2022-03-19

Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實現(xiàn)嚴(yán)苛環(huán)境下出色的電路保護

航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓...

TVS SBD 2020-06-10

電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)

具有TI無線SoC處理器以及時鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖(SBD)。當(dāng)今用于蜂窩式電信網(wǎng)絡(luò)的無線基站必須具備強大的信號處理功能，以便能夠處理網(wǎng)絡(luò)中不斷增加的大量語音和數(shù)據(jù)流量，并支持正廣泛......

電信基帶系統(tǒng)方框 2016-11-14