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化合物半導(dǎo)體

  compound semiconductor   通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半導(dǎo)體,即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)。包括晶態(tài)無機(jī)化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半導(dǎo)體)及其固溶體、非晶態(tài)無機(jī)化合物(如玻璃半導(dǎo)體)、有機(jī)化合物(如有機(jī)半導(dǎo)體)和氧化物半導(dǎo)體等。通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半導(dǎo)體。主要是二元化合物如:砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等,其次是二元和多元化合物,如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。

  • 化合物半導(dǎo)體專欄

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湖北,將建設(shè)全國化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地

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