EEPW
技術應用
霍爾器件 Hall element 利用霍爾效應的固態電子器件。E。H。霍爾于1879年發現:一塊矩形導體或半導體材料在磁感應強度為Bz的磁場中,在垂直于磁場的方向有電流Ix通過試件(圖1),在既垂直于磁場Bz、又垂直于電流Ix的方向將產生電場Ey,這就是霍爾效應。
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