日前，三星電子發布，其全球首家批量生產20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM，旨在全面擴大其4Gb DRAM市場。

　　三星電子繼2012年3月開始批量生產20納米級8GBDDR3筆記本電腦模塊，4月又開始批量生產20納米級4GbLPDDR2DRAM，從而成了擁有業界最大高端4Gb存儲生產線的廠商。

　　據了解，20納米級4GbDRAM產品群，不僅能夠提供全球最為“超薄”、“大容量”、“高性能”的手機解決方案，而且其最小的芯片尺寸，可實現超薄設計。因此，該產品成為了創新企業及手機生產廠商推出的下一代系統時確保其優勢的核心要素。

　　三星電子2011年3月開始批量生產了30納米級存儲器。此次業界首家批量生產最小尺寸20納米級存儲，意味著三星電子不僅能夠確保在30納米級移動存儲以及20納米級移動存儲領域的競爭優勢，而且將繼續引領移動存儲市場的領先地位。

　　三星電子存儲器事業部戰略營銷部洪完勛副社長表示，“2011年三星電子憑借業界首家批量生產30納米級4GbDRAM，擴大了市場份額。2012年，則通過20納米級4Gb的批量生產，有望實現進一步差異化高端存儲器市場目標。今年下半年，將繼續加大20納米級的比重,從而搶占高端市場，進而加強競爭優勢。”