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三星宣布量產第2代14納米LPP FINFET工藝

作者: 時間:2016-01-18 來源: 電子工程網 收藏

  電子計劃使用第二代FinFET制程技術量產更先進的處理器,并很快將被用于的高端智能手機Galaxy S7中。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201601/285844.htm

  隨著14nm LPP制程投入量產,進一步展現了工藝技術上的領先優勢,讓業界看到全新的三星Exynos 8 Octa及為高通等客戶代工的處理器所具備的卓越性能和功效。高通驍龍820處理器正是采用了三星最新的14nmLPP制程技術制造,將于今年上半年出現在各品牌的旗艦智能手機上。

  全新的處理器運用3D FinFET設計結構,實現高性能和低功耗。通過晶體管結構和工藝上的優化改進,與之前通過14nm LPE制程生產的處理器相比,三星14nm LPP制程生產的處理器性能提升了15%,而功耗則降低了15%。此外,使用全耗盡技術的FinFET晶體管使得芯片的生產克服了尺寸縮小的限制,制造能力將進一步增強。

  “我們很高興成為行業生產的主導者,第二代14nm FinFET工藝技術提供了最高水準的性能和功效。”三星電子系統LSI業務銷售和營銷執行副總裁Charlie Bae表示,“三星將致力于14nm FinFET工藝制程下一階段的研發,始終保持我們在技術上的領先優勢。”



關鍵詞: 三星 14納米

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