在AI芯片引爆先進封裝CoWoS需求之際，市場盛傳，第三類半導體碳化硅（SiC）正準備闖入這個高附加價值的市場。

這場技術革新，預計將由「非大陸供應鏈」率先發展，但最終卻可能為全球SiC產業，特別是包括中國大陸，帶來新的成長動能。 從9月的SEMICON Taiwan 2025到近期韓國的ICSCRM，12吋SiC在先進封裝的應用，成為產業熱議的焦點。

半導體供應鏈業者指出，12寸SiC基板打入CoWoS封裝，主要由NVIDIA與臺積電主導設計與運作。 考慮到地緣政治等因素，這項應用將會從非大陸供應鏈萌芽、茁壯。

中國臺灣供應鏈有機會成為這場材料革命的先鋒部隊。 盡管中國臺灣在6吋、8寸SiC基板領域的表現，難以追上中國大陸，但憑藉在技術、制程良率與成本掌控上的卓越，中國臺灣此次有機會「彎道超車」12吋SiC應用，在先進封裝領域中搶得先機，甚至主導產業發展。

同步，其他非大陸供應鏈也對此寄予厚望，因為12吋SiC單晶長晶難度高，這將促使中國臺灣與國際廠商在設備、關鍵材料上進行更廣泛的合作，進而將此應用延伸至不同領域。

對非紅供應鏈而言，這場變革帶來了新的曙光。 不僅可成為SiC的全新應用領域，更打入了高獲利的半導體先進制程與封裝領域，成功避開了當前全球6吋SiC基板的價格肉搏戰，扭轉中國強勢主導的局面。

業者進一步透露，事實上，中國SiC供應鏈更樂見此新應用的發展。

因為由NVIDIA、臺積電帶頭打造的商機，一旦成形，其規格、性能與功效都將成為產業定局。 這形同為中國SiC跨足該領域先行鋪路，省掉前期摸索的成本。

就算非紅供應鏈打前鋒，中國仍能憑借其自給自足的政策與龐大內需，快速將12吋SiC產業發揚光大。 這與過往許多產業鏈的發展模式相似，先由領先者定義標準，后由中國迅速跟進并實現規模化。

熟悉半導體業界人士表示，此次ICSCRM在韓國舉行，吸引全球化合物半導體領域的菁英匯聚。 2026年與2027年的活動，將分別在日本橫濱與英國倫敦舉行，而2028年原考慮在中國臺灣舉辦，表示前來與會的國際菁英，可以順路拜訪「中國臺灣供應鏈」，這個12吋SiC應用于先進封裝的實戰區域。

然而業者也坦言，由于臺灣缺乏適合大型的場地，最后決定改在法國舉行，著實令人扼腕。

由于應用領域不同，目前6寸SiC基板、透過晶圓制造，主要供應功率半導體所需，其最大出海口以電動車（EV）、太陽能為主。 基板價格近兩年快速下殺至生產成本線以下，主要來自于中國產能大開，導致快速陷入供過于求而內卷。 更有甚者，兩大出海口，也由中國主導，形成全產業鏈各環節都內卷的問題，當然也傳導至全球相關供應鏈。

中國6吋SiC已步入淘汰賽，即使如此，有實力且口袋具深度者，仍持續朝8吋升級，因此，市場預估其競爭激烈度不會因尺寸升級而減緩。