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先進封裝 文章 最新資訊

芯粒與三維集成電路帶來全新的電氣和機械挑戰(zhàn)

  • 核心要點芯粒和三維集成電路架構(gòu)產(chǎn)生了新的熱機械應(yīng)力，可能影響整個系統(tǒng)的可靠性。隨著芯粒被集成至封裝中，系統(tǒng)內(nèi)各組件的缺陷率指標要求愈發(fā)嚴苛。傳統(tǒng)的技術(shù)壁壘正在被打破，設(shè)計團隊不得不著手解決此前由代工廠負責的材料選擇等問題。芯粒架構(gòu)在數(shù)據(jù)中心的快速普及，正推動著從芯粒設(shè)計、封裝到實際應(yīng)用全流程的全方位變革。相關(guān)成本激增，可靠性擔憂加劇，以往用于控制成本、保障器件正常工作的方法已逐漸失效。行業(yè)關(guān)注的焦點不再局限于電遷移和電源完整性，還新增了隨工作負載、互連數(shù)量與類型、z 軸設(shè)計延伸范圍變化的熱機械應(yīng)力問題。建
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芯粒技術(shù)增加芯片檢測與測試環(huán)節(jié)

  • 核心要點保障多芯片集成封裝的可靠性，需采用多種檢測方法識別亞表面缺陷。鍵合與互連結(jié)構(gòu)是問題高發(fā)區(qū)，需要增加更多檢測節(jié)點。實現(xiàn)產(chǎn)品高可靠性，需整合目前分散在各數(shù)據(jù)倉的碎片化數(shù)據(jù)。向多芯片集成封裝的轉(zhuǎn)型，正推動芯片檢測與測試方式的變革，唯有如此才能實現(xiàn)良率的快速提升，或?qū)α悸十惓Ｗ龀龈皶r的響應(yīng)。長期以來，封裝工程團隊依靠光學檢測和電學測試來發(fā)現(xiàn)封裝制造中的問題，但對于基于芯粒的設(shè)計而言，僅靠這兩種方法已遠遠不夠。需要檢測和驗證的子組件數(shù)量增加了兩倍以上，且隨著焊球、凸點、微凸點的引腳間距和尺寸不斷縮小，對計
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先進封裝中的電阻問題已成系統(tǒng)級難題

  • 核心要點沿用數(shù)十年的開爾文測量法，已無法滿足復雜芯片的電阻檢測需求。電阻不再集中于晶體管內(nèi)部，其出現(xiàn)的位置也不再固定、明顯。傳統(tǒng)的合格 / 不合格二元檢測方法，需被更精細化、更靈活的分析方法與體系取代。在半導體行業(yè)發(fā)展的大部分時間里，開爾文測量法成功解決了一個特定的關(guān)鍵問題：若要測量某一器件的電阻，必須剔除引線、探針、線纜、插座等所有連接部件帶來的電阻干擾。這一方法設(shè)計精妙，且在很長一段時間內(nèi)都能滿足檢測需求 —— 通過一條通路施加電流，另一條通路檢測電壓，將激勵與檢測相分離，就能精準測得器件本身的電阻值
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英特爾概述了用于AI數(shù)據(jù)中心封裝的厚芯玻璃基板概念

  • 英特爾在日本 NEPCON 展會展示了集成嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）先進封裝技術(shù)的厚芯玻璃基板。盡管此前其技術(shù)路線圖存在不確定性，但此次展示表明玻璃基板仍是英特爾先進封裝領(lǐng)域的長期研發(fā)方向，該技術(shù)主要面向高性能數(shù)據(jù)中心處理器。對于從事先進封裝、異構(gòu)集成或人工智能加速器設(shè)計的讀者而言，這一技術(shù)進展意義重大。業(yè)內(nèi)普遍認為，玻璃基板有望為下一代服務(wù)器級器件實現(xiàn)更大封裝尺寸、更精細互連以及更高機械穩(wěn)定性提供支撐。先進封裝中的玻璃基板與 EMIB 技術(shù)據(jù) Wccftech 報道，英特爾代工業(yè)務(wù)部門展示了玻璃芯
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英特爾可能將Super MIM授權(quán)給UMC，提升人工智能和先進封裝能力

  • 據(jù)報道，英特爾與UMC正在探索更深層次的合作，以支持與人工智能相關(guān)的應(yīng)用。據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，消息人士稱英特爾計劃將其專有的“超級MIM”電容技術(shù)授權(quán)給UMC，該技術(shù)用于英特爾下一代埃級工藝，被視為先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)。報告引用的消息人士稱，英特爾可能會將其Super MIM電容技術(shù)引入與UMC合作的12納米/14納米工藝平臺，并將該技術(shù)推廣到先進的封裝相關(guān)應(yīng)用。針對市場猜測，UMC表示目前與英特爾的合作仍聚焦于12納米平臺，但報告補充說，公司并未排除未來擴大合作范圍，涵蓋更廣泛的技術(shù)。正如報告指出的，如果
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谷歌TPU產(chǎn)能拉滿，重塑AI算力格局

  • 谷歌2026年的TPU最新產(chǎn)能數(shù)據(jù)曝光。該數(shù)據(jù)來自Global Semi Research最新的一項獨立研究：2026年TPU總產(chǎn)能將達到430萬顆；按型號拆分V6為15萬顆，V7為135萬顆，V8AX為240萬顆，V8X為40萬顆。其中，V8AX和V8X總計280萬顆，占比約65%。這表明谷歌在產(chǎn)能布局上，將優(yōu)先保障新一代TPU（可能用于Gemini模型或云服務(wù)）的產(chǎn)能，而V6/V7為庫存或低端市場，可能用于過渡或特定應(yīng)用。總產(chǎn)能將達到430萬顆谷歌的TPU產(chǎn)能從原本的略超300萬顆大幅上調(diào)至430萬顆
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激光照亮先進包裝的路線圖

  • 先進包裝最初是為了將電子產(chǎn)品縮小到智能手機、可穿戴設(shè)備及其他空間受限的設(shè)備中。但隨著Dennard擴展和多核架構(gòu)的優(yōu)勢逐漸消退，半導體行業(yè)轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成作為創(chuàng)新的下一個引擎。因此，包括2.5D和3D集成、晶圓層扇形封裝以及芯片組架構(gòu)在內(nèi)的多種先進封裝方法，已成為維持摩爾定律設(shè)想的性能提升步伐的關(guān)鍵（見圖1）。圖1.1970年至今微處理器晶體管密度、性能和架構(gòu)的歷史趨勢，并預測至2040年。隨著晶體管縮放和多核架構(gòu)優(yōu)勢的減弱，異構(gòu)計算成為維持摩爾定律的手段。這一轉(zhuǎn)變帶來了一類新的工藝挑戰(zhàn)，尤其是在晶圓選異、刻
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臺積電加快先進封裝進程

  • 臺積電一直在積極擴充其先進包裝能力。據(jù)MoneyDJ報道，公司于4日在中國臺灣嘉義舉行了AP7工廠的開幕儀式。供應(yīng)鏈消息人士指出，AP7第二階段已開始設(shè)備安裝和測試，預計2026年開始生產(chǎn)，第一階段計劃于2026年設(shè)備搬運，2027年實現(xiàn)批量生產(chǎn)。報道補充稱，由于此前在P1遺址發(fā)現(xiàn)了考古遺跡，施工被推遲，使P2得以更早啟動并更快推進。除了中國臺灣的AP7項目外，臺積電也在加速其在美國的先進包裝工作。正如《自由時報》報道，消息人士稱臺積電美國廠房發(fā)展迅速，其包裝進度已無法再等待現(xiàn)有園區(qū)外的新廠址。因此，臺積
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英特爾CEO回應(yīng)從前臺積電高管處獲取技術(shù)機密的指控

  • 英特爾CEO陳立武（Lip-Bu Tan）駁斥了有關(guān)“新雇高管從臺積電攜帶商業(yè)機密入職”的報道，是英特爾高層首次就此事件直接表態(tài)。陳立武周四在圣何塞舉行的半導體行業(yè)協(xié)會（Semiconductor Industry Association）頒獎典禮間隙接受彭博新聞社采訪時表示，稱“這都是謠言和猜測，毫無根據(jù)。我們尊重知識產(chǎn)權(quán)”。近日，?全球半導體行業(yè)卷入一場備受關(guān)注的技術(shù)機密糾紛。這場風波的焦點人物是臺積電前研發(fā)與企業(yè)策略發(fā)展資深副總經(jīng)理羅唯仁（Wei-Jen Lo）—— 這位在臺積電服務(wù)21年
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英特爾先進封裝可能是美國對半導體主導地位的回應(yīng)

  • 英特爾可能是在美國本土重新實現(xiàn)先進芯片生產(chǎn)和封裝的美國夢的關(guān)鍵。在特朗普政府的領(lǐng)導下，美國一直在努力在國內(nèi)建立領(lǐng)先的芯片制造。由于多種原因，實現(xiàn)這一目標具有挑戰(zhàn)性。在最先進芯片的競爭中，只剩下少數(shù)主要的老牌企業(yè)：英特爾、三星和臺積電。其中，總部位于臺灣的臺積電不斷克服障礙，成為半導體行業(yè)的領(lǐng)導者。通過半導體開發(fā)的戰(zhàn)略方法，臺積電在領(lǐng)先的節(jié)點生產(chǎn)和先進的芯片封裝方面都表現(xiàn)出色，提高了性能。從歷史上看，英特爾在領(lǐng)先的半導體節(jié)點生產(chǎn)方面一直面臨困難，甚至將部分芯片制造外包給臺積電。然而，英特爾不僅有生產(chǎn)芯片的巨
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隨著人工智能和先進封裝推動需求，半導體代工市場將增長

  • 根據(jù) Credence Research 的一份新報告，全球代工行業(yè)正處于穩(wěn)定增長的軌道上，預計將從 2023 年的 1255.6 億美元增長到 2032 年的 1717.0 億美元。該公司表示，3.99% 的復合年增長率 （CAGR） 凸顯了汽車、航空航天和工業(yè)機械等關(guān)鍵行業(yè)對精密金屬鑄造和半導體制造的需求不斷增長。對于 eeNews Europe 讀者來說，這一趨勢標志著半導體制造、封裝和本地化芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵發(fā)展。所有這些都是塑造歐洲及其他地區(qū)電子供應(yīng)鏈和創(chuàng)新格
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非大陸供應(yīng)鏈領(lǐng)軍12寸SiC突圍先進封裝 中國也樂見其成

  • 在AI芯片引爆先進封裝CoWoS需求之際，市場盛傳，第三類半導體碳化硅（SiC）正準備闖入這個高附加價值的市場。這場技術(shù)革新，預計將由「非大陸供應(yīng)鏈」率先發(fā)展，但最終卻可能為全球SiC產(chǎn)業(yè)，特別是包括中國大陸，帶來新的成長動能。 從9月的SEMICON Taiwan 2025到近期韓國的ICSCRM，12吋SiC在先進封裝的應(yīng)用，成為產(chǎn)業(yè)熱議的焦點。半導體供應(yīng)鏈業(yè)者指出，12寸SiC基板打入CoWoS封裝，主要由NVIDIA與臺積電主導設(shè)計與運作。 考慮到地緣政治等因素，這項應(yīng)用將會從非大陸供應(yīng)鏈萌芽、茁
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2026年 Apple 2納米芯片革命：四款新芯片——改變游戲規(guī)則的先進封裝與全新的市場競爭格局

  • 2026 年蘋果四款 2 納米芯片： 據(jù)報道，蘋果公司計劃于 2026 年推出四款采用臺積電 2 納米工藝的芯片。這些包括用于 iPhone 18 系列的 A20 和 A20 Pro，一款用于 Mac 的下一代 M 系列芯片（可能是 M6），以及一款用于下一代 Apple Vision Pro 的新 R2 協(xié)處理器。先進的封裝技術(shù)突破： 蘋果公司至少有兩款 2 納米芯片（尤其是 A20/A20 Pro）將采用晶圓級多芯片模塊（WMCM） 封裝技術(shù)——這是一種尖端技術(shù)，將 CPU、GPU 甚至內(nèi)存等組件集成
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臺積電、OSAT先進封裝大擴產(chǎn) 設(shè)備供應(yīng)鏈至少再旺2年

  • AI浪潮下，半導體先進封裝產(chǎn)業(yè)正加速擴產(chǎn)。原本「并未」把先進封裝視為主力的臺積電，過去兩年來態(tài)度大轉(zhuǎn)彎、大擴產(chǎn)。 而專業(yè)封測代工廠以往泰半保守看待先進封裝業(yè)務(wù)，現(xiàn)也轉(zhuǎn)趨積極。 業(yè)界推估，在「臺積電」與「非臺積電」兩大陣營全力沖刺先進封裝技術(shù)、產(chǎn)能的趨勢下，設(shè)備供應(yīng)鏈將成為大贏家，可望繼續(xù)暢旺2年。首先是臺積電，不僅在臺灣的北、中、南部接連擴產(chǎn)，亦確立于美國亞利桑那州廠區(qū)再建2座先進封裝工廠。半導體設(shè)備業(yè)者強調(diào)，CoWoS產(chǎn)能供不應(yīng)求，技術(shù)更是快速推進，不只臺積電擴產(chǎn)大啖商機，OSAT廠也陸續(xù)確立擴產(chǎn)大計。
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CoWoP搶先CoPoS接棒CoWoS？ 先進封裝三大路徑分析

  • 先進封裝，日進千里，除了半導體晶圓級技術(shù)外，現(xiàn)今，面板、PCB領(lǐng)域，都成了業(yè)界熱議的當紅炸子雞。「CoWoP（Chip-on-Wafer-on-Platform PCB）」近期橫空出世，因其大膽挑戰(zhàn)既有的臺積電CoWoS先進封裝主流架構(gòu)，更被外界視為可能重塑PCB產(chǎn)業(yè)版圖的關(guān)鍵變量，甚至還可能動搖面板級的CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）的接班地位，引發(fā)市場議論聲浪不斷。不過，若要論CoWoP、CoPoS這兩大新技術(shù)，誰最有機會接棒CoWoS老大哥，成為下一世代AI芯片封裝
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