據(jù)韓媒New Daily援引業(yè)界消息，三星電子正以韓國(guó)天安園區(qū)為核心，加速高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）后段制程的產(chǎn)能擴(kuò)張。根據(jù)計(jì)劃，三星將在2026年底前實(shí)現(xiàn)每月23.1萬(wàn)顆的熱壓鍵合（TCB）制程產(chǎn)能，同時(shí)每月提供1.95萬(wàn)顆基于混合銅鍵合（HCB）技術(shù)的產(chǎn)能。到2029年，三星將把HBM堆疊制程的重心從TCB技術(shù)逐步轉(zhuǎn)移至HCB技術(shù)。 

三星于2026年2月宣布率先量產(chǎn)HBM4，并在GTC 2026上展示了HBM4E及HCB技術(shù)。業(yè)界分析認(rèn)為，HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)重點(diǎn)正從存儲(chǔ)器芯片本身轉(zhuǎn)向堆疊與鍵合的速度和穩(wěn)定性。目前，TCB技術(shù)仍是HBM量產(chǎn)的核心，但HCB技術(shù)以直接銅鍵合為基礎(chǔ)，可實(shí)現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)和更精細(xì)的線距，因此備受關(guān)注。 

三星表示，HCB技術(shù)相比TCB技術(shù)能夠改善20%以上的熱阻，同時(shí)支持16層以上的高堆疊。HBM4的傳輸速度已穩(wěn)定達(dá)到11.7Gbps，最高可達(dá)13Gbps，帶寬最高為3.3TB/s；而HBM4E的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)16Gbps的傳輸速度和4.0TB/s的帶寬。業(yè)界認(rèn)為，三星在前段制程性能競(jìng)爭(zhēng)中已邁入新階段，后續(xù)的關(guān)鍵在于能否以客戶所需的良率和時(shí)間表完成芯片封裝并交付。 

隨著HBM4、HBM4E以及定制化HBM的發(fā)展，客戶需求已從單純關(guān)注規(guī)格轉(zhuǎn)向封裝完成度和供應(yīng)穩(wěn)定性。例如，像NVIDIA這樣的客戶更傾向于選擇能夠穩(wěn)定供應(yīng)的高層堆疊封裝產(chǎn)品，而非單一高性能芯片。因此，天安園區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃不僅意味著產(chǎn)量的提升，更被視為三星將HBM市場(chǎng)劃分為“現(xiàn)在”與“未來(lái)”兩個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)的信號(hào)。