SK海力士終于趕上三星電子，成為全球第二家成功量產20奈米DRAM的廠商。該公司也力拼3D NAND Flash研發，期盼能在明年量產48層3D NAND。

　　BusinessKorea 15日報導，SK海力士人員受訪表示，該公司引入20奈米DRAM制程，過程雖有困難，但已經穩定，開始寄送樣品給客戶、進入量產。據此而言，SK海力士是世界第二家量產20奈米DRAM的業者。三星首開先例，去年3月就量產20奈米DRAM。

　　SK海力士也宣布3D NAND研發計畫，社長樸星昱(Park Sung-wook)表示，計畫今年逐步發展36層3D NAND，明年全面量產48層3D NAND，和三星較勁的意味濃厚。三星電子8月10日宣布，第三代V-NAND已正式量產，以48層3-bit MLC堆疊。

　　據傳該公司有意拓展系統半導體業務，Park說，這無法短時間內能辦到，需要進一步提升能力，若不如此連并購都難以進行，將先發展內部實力，包括晶圓代工等，再來考慮下一步。

　　韓媒etnews 4月7日報導，據了解SK海力士的清州(Cheongju)M8廠提供系統半導體的晶圓代工服務，SK海力士正在調整該廠產線，增加晶圓生產種類。M8廠專門生產非記憶體晶片，目前主要制造CMOS238影像感測器(CIS)、電源管理IC、顯示器驅動IC等。報導稱，SK海力士招聘了大量非記憶體晶片人士，包括業界制程專家和晶圓代工研究者等，協助擴充相關的晶圓代工業務。

　　美光也力拼DRAM微縮制程，日經新聞10月12日報導，美光計劃于今后1年內對日本廣島工廠豪砸1,000億日圓資金，導入最新生產設備，量產全球最先端、采用16nm制程技術的DRAM產品，且目標為在2016年上半年確立16nm DRAM的量產技術。

　　韓媒BusinessKorea 4月13日報導，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產的8%，預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產的82%。DRAMeXchange預估，SK海力士將在今年Q3進入2z制程，明年邁上軌道。

　　相較之下，30奈米制程仍占美光(Micron)產能的40%、南亞科(2408)的90%。目前2z奈米DRAM制程以三星電子領先，目前約占產出20%，預估今年內將拉升至50%。DRAMeXchange估計，三星DRAM生產中，25奈米生產占57%、20奈米占23%、35奈米占20%。