半導(dǎo)體文章最新資訊

07年半導(dǎo)體廠商排名: 英特爾居首 AMD無(wú)緣前十

　　國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli初步數(shù)據(jù)顯示，到2007年底，英特爾仍將是全球最大的半導(dǎo)體廠商。　　據(jù)iSuppli預(yù)計(jì)，到今年年底，英特爾的半導(dǎo)體市場(chǎng)份額將增至12.5%，繼續(xù)雄踞最大半導(dǎo)體廠商頭銜。相比之下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD則可能被擠出前十，排名第十一位。　　而三星則繼續(xù)排名第二，市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)為7.4%。東芝的排名將上升一位，位居第三。同時(shí)，把德州儀器推向第四的位置。　　意法半導(dǎo)體繼續(xù)排名第五，第六至第十位排名依次為Hynix、Renesas、索尼、NXP和英飛凌。　　2007
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飛思卡爾技術(shù)論壇在深圳開(kāi)壇

　　飛思卡爾半導(dǎo)體在中國(guó)著名的技術(shù)樞紐城市深圳主辦飛思卡爾技術(shù)論壇(FTF)。2006年，深圳的高科技產(chǎn)品生產(chǎn)達(dá)到6300億人民幣，是中國(guó)城市之最。據(jù)深圳市政府的統(tǒng)計(jì)資料，從1992年到2006年深圳高科技產(chǎn)業(yè)年均增長(zhǎng)率達(dá)到令人振奮的45%。　　今年也是飛思卡爾在中國(guó)運(yùn)營(yíng)的第15個(gè)年頭，飛思卡爾首席技術(shù)官(CTO)Lisa Su上任后首次訪問(wèn)大陸慶祝這一具有里程碑意義的時(shí)刻，并在論壇開(kāi)幕典禮上向與會(huì)的超過(guò)1500名業(yè)內(nèi)專家和工程師發(fā)表主題演講。人們對(duì)這位亞裔女性CTO印象深刻，她曾在2002年入選《麻
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子飛思卡爾半導(dǎo)體 TD-SCDMA 嵌入式消費(fèi)電子

恩智浦支持中國(guó)大學(xué)人才培養(yǎng)，幫助學(xué)生將創(chuàng)意變成現(xiàn)實(shí)

　　恩智浦半導(dǎo)體宣布了首屆恩智浦杯創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽的獲獎(jiǎng)選手。在上海舉辦的頒獎(jiǎng)典禮上，十支學(xué)生團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)脫穎而出，分別被授予了獎(jiǎng)項(xiàng)。一等獎(jiǎng)則是由重慶大學(xué)的”基于嵌入式的微型尿液分析儀的設(shè)計(jì)”所獲得。　　這次大賽是恩智浦成為獨(dú)立公司后舉辦的創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽，也是公司在中國(guó)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略和目標(biāo)的一部分，旨在通過(guò)提高中國(guó)學(xué)生的研發(fā)能力以及推動(dòng)本土創(chuàng)新，來(lái)支持中國(guó)的大學(xué)人才培養(yǎng)。　　恩智浦半導(dǎo)體大中華區(qū)區(qū)域行政官葉昱良先生表示：“盡管恩智浦成為獨(dú)立公司只有一年多的時(shí)間，但公司秉承一貫支持、鼓勵(lì)和推動(dòng)中國(guó)大學(xué)生創(chuàng)新
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安森美半導(dǎo)體榮獲創(chuàng)維集團(tuán)頒發(fā)的“2007年度最佳電源供應(yīng)商”獎(jiǎng)

　　安森美半導(dǎo)體獲得中國(guó)第二大液晶電視(LCD TV)和機(jī)頂盒(STB)制造商創(chuàng)維集團(tuán)頒發(fā)的“2007年度最佳電源供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。　　這獎(jiǎng)項(xiàng)認(rèn)可了安森美半導(dǎo)體在高能效電源解決方案領(lǐng)域的卓越地位和安森美半導(dǎo)體滿足創(chuàng)維應(yīng)用的需求。這獎(jiǎng)項(xiàng)還反映了由安森美半導(dǎo)體和創(chuàng)維共同設(shè)立的聯(lián)合電源實(shí)驗(yàn)室在開(kāi)發(fā)LCD TV和高清電視(HDTV)所用的高能效、高性價(jià)比交流-直流(AC-DC)電源解決方案方面的重大貢獻(xiàn)。　　自從2006年8月設(shè)立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室以來(lái)，安森美半導(dǎo)體的派駐現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師與創(chuàng)維的研發(fā)團(tuán)隊(duì)共同開(kāi)發(fā)出電源解
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安森美半導(dǎo)體為ATLAS粒子物理實(shí)驗(yàn)提供復(fù)雜芯片

　　安森美半導(dǎo)體獲歐洲核子研究理事會(huì)(CERN)頒發(fā)產(chǎn)業(yè)獎(jiǎng)，表彰安森美半導(dǎo)體為CERN供應(yīng)用于ATLAS粒子物理實(shí)驗(yàn)的復(fù)雜“像素粒子傳感器(Pixel Particle Sensor)”芯片。　　CERN是世界上最大的粒子物理實(shí)驗(yàn)室。ATLAS協(xié)作項(xiàng)目是CERN四個(gè)主要的粒子物理實(shí)驗(yàn)之一。ATLAS實(shí)驗(yàn)利用CERN的大型強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)(LHC)來(lái)探索物質(zhì)的基礎(chǔ)屬性和形成宇宙的基本力量。從2008年年中開(kāi)始，ATLAS探測(cè)器將搜索每個(gè)質(zhì)子能量達(dá)到極高的7萬(wàn)億電子伏(TeV)情況下的質(zhì)子正面碰撞的新發(fā)現(xiàn)。在物
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2007年前三季臺(tái)灣電子零組件產(chǎn)業(yè)回顧與展望

　　2007第一季至第三季臺(tái)灣電子零組件海內(nèi)外產(chǎn)值為新臺(tái)幣5280億元，較2006年同期成長(zhǎng)9%，詳如圖一，其中化合物半導(dǎo)體組件產(chǎn)值新臺(tái)幣429億元;被動(dòng)組件產(chǎn)值新臺(tái)幣867億元;印刷電路板產(chǎn)值新臺(tái)幣2511億元;接續(xù)組件產(chǎn)值新臺(tái)幣939億元;能源組件產(chǎn)值新臺(tái)幣533億元。以下分別就各組件之產(chǎn)銷表現(xiàn)予以說(shuō)明。　　　　化合物半導(dǎo)體組件：　　2007第一季至第三季臺(tái)灣化合物半導(dǎo)體組件產(chǎn)值達(dá)新臺(tái)幣429億元，較去年同期成長(zhǎng)17%，其中以LED為主要成長(zhǎng)動(dòng)力。2007年在手機(jī)用白光LED市場(chǎng)
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納米陶瓷電極熒光巷道燈和隧道燈

　　1 概述　　目前礦井巷道和高速公路隧道照明燈具普遍采用白熾燈和日光燈。眾所周知，白熾燈的發(fā)光效率只有15 Lm/w，使用壽命只有1 000小時(shí)，普通日光燈的發(fā)光效率約60 Lm/w，壽命只有2 000小時(shí)。高質(zhì)量日光燈的壽命也只有5 000小時(shí)，由于礦井巷道和高速公路隧道都是晝夜點(diǎn)亮，因此照明燈具需要經(jīng)常更換，由于隔爆巷道燈更換燈管很困難，因此維護(hù)工作量大，維護(hù)費(fèi)用高。同時(shí)，白熾和日光燈耗電量較大，加之每天點(diǎn)亮?xí)r間很長(zhǎng)，因此每年所需電費(fèi)極高。　　為了克服這些問(wèn)題，近年來(lái)，許多研究單位開(kāi)始采用半
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2007年11月28日，華潤(rùn)上華宣布收購(gòu)華潤(rùn)勵(lì)致全部半導(dǎo)體股份

　　2007年11月28日，華潤(rùn)上華宣布將通過(guò)發(fā)行總價(jià)約14.89億港元的股份，收購(gòu)華潤(rùn)勵(lì)致所持的全部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)股份。
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SiGe半導(dǎo)體的接收器IC產(chǎn)品SE4120L榮獲《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》(EDN China)2007年度創(chuàng)新獎(jiǎng)之優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

　　SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 全球首款配合伽利略衛(wèi)星 (Galileo) 的接收器IC產(chǎn)品SE4120L榮獲著名雜志《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》 (EDN China) 2007年度創(chuàng)新獎(jiǎng)之優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。SE4120L器件在競(jìng)爭(zhēng)激烈的通訊與網(wǎng)絡(luò)IC組別中勝出。該接收器具有對(duì)軟件定義的GPS和伽利略衛(wèi)星信號(hào)處理的內(nèi)建支持，可將高精度導(dǎo)航服務(wù)集成于筆記本電腦、PDA、媒體播放器、手機(jī)以及照相機(jī)等便攜式設(shè)備中。　　伽利略是全新的衛(wèi)星系統(tǒng)，較之現(xiàn)有的GPS系統(tǒng)，導(dǎo)航和定位性能均大大增強(qiáng)
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臺(tái)灣專家稱臺(tái)芯片產(chǎn)業(yè)至少領(lǐng)先大陸至2020年

　　11月27日消息，據(jù)香港媒體報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)工研院工業(yè)技術(shù)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與信息服務(wù)中心(IEK)主任杜紫宸昨日表示，盡管中國(guó)大陸有大規(guī)模的資金及人才儲(chǔ)備，但臺(tái)灣的芯片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先中國(guó)的優(yōu)勢(shì)將至少維持至2020年。　　杜紫宸說(shuō)，芯片行業(yè)需要擁有高門(mén)檻的經(jīng)驗(yàn)作為后盾，這是中國(guó)大陸短期之內(nèi)難以追上臺(tái)灣地區(qū)的主要原因。他同時(shí)還認(rèn)為，中國(guó)最優(yōu)秀的芯片技術(shù)人才處于待遇的考慮，會(huì)優(yōu)先考慮在中國(guó)投資的其他國(guó)家或地區(qū)的半導(dǎo)體公司，而不是本土的公司，這也是不利用中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的原因。　　之前，臺(tái)灣地區(qū)政府一直嚴(yán)格管制臺(tái)灣科
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45nm用或不用都是個(gè)問(wèn)題

　　與其說(shuō)45nm剛剛走到我們面前，不如說(shuō)我們已經(jīng)可以準(zhǔn)備迎接32nm工藝時(shí)代，因?yàn)閾?jù)三星存儲(chǔ)合作伙伴透露，今年底或明年初三星將開(kāi)始試產(chǎn)30nm工藝半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產(chǎn)階段。無(wú)疑，我們只不過(guò)在Intel強(qiáng)大的宣傳攻勢(shì)下，認(rèn)為似乎CPU才是所有半導(dǎo)體的制程工藝的領(lǐng)先者，但也許再向下Intel也會(huì)感到有些力不從心。　　當(dāng)然，我們今天討論的重點(diǎn)不是誰(shuí)的制程工藝更先進(jìn)，而是要討論45nm究竟該不該采用，亦或準(zhǔn)確的說(shuō)是要不要采用的問(wèn)題。　　從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō)，45
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安森美半導(dǎo)體“芯”系一瓦

　　隨著人口的增長(zhǎng)和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，世界各國(guó)對(duì)住房、服務(wù)和交通的能源需求也在水漲船高。但是，過(guò)高的能源消耗不利于大自然的可持續(xù)發(fā)展，并對(duì)我們的生存環(huán)境和日常生活帶來(lái)越來(lái)越大的影響。在降低能源消耗方面，關(guān)注的焦點(diǎn)已經(jīng)從電廠發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)向了電子電器設(shè)備所使用的電源插座。任何能夠幫助電子電器設(shè)備以更少的能量來(lái)執(zhí)行相同的功能的技術(shù)，都可視為節(jié)能技術(shù)，都具有意義。　　對(duì)電子電器設(shè)備而言，其能源消耗主要包括工作狀態(tài)的電能消耗和待機(jī)狀態(tài)下的電能消耗，兩者所占的比例分別約為75%和25%。工作狀態(tài)下的電能消耗可視為人們工作與
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08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)

　　2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡，資本開(kāi)支預(yù)計(jì)下滑超過(guò)3%。Hosseini預(yù)測(cè)，前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年，而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿變數(shù)。　　他在報(bào)告中指出，“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化，由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn)，2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑，下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度。”他同時(shí)表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑，之后有望重現(xiàn)恢復(fù)。” 　　他最大的擔(dān)憂在DRAM行業(yè)，預(yù)計(jì)“整
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中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能增速居全球之首

　　據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會(huì)(SEMICON)中國(guó)區(qū)總裁丁輝文介紹，2007年中國(guó)半導(dǎo)體芯片制造業(yè)產(chǎn)能較2000年增長(zhǎng)859%，超過(guò)美國(guó)、歐洲和日本，居全球之首。　　據(jù)介紹，目前，中國(guó)已成為國(guó)際半導(dǎo)體芯片制造業(yè)投資最為密集的地區(qū)之一，是全球半導(dǎo)體芯片制造增長(zhǎng)最為迅速的市場(chǎng)。長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的核心，集聚眾多國(guó)際領(lǐng)先廠商。同時(shí)，長(zhǎng)三角地區(qū)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能占全國(guó)的85%，擁有全國(guó)產(chǎn)能最高、技術(shù)等級(jí)最強(qiáng)的12英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線。2000年，中芯國(guó)際和宏利半導(dǎo)體的投產(chǎn)標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入迅猛
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2007中國(guó)汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術(shù)論壇瑞薩展示最新技術(shù)

　　株式會(huì)社瑞薩科技參加了在廣州召開(kāi)的主題為“產(chǎn)業(yè)融合跨越發(fā)展”的2007中國(guó)汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術(shù)論壇。該論壇是于11月20日至11月26日期間舉辦的第五屆中國(guó)(廣州)國(guó)際汽車博覽會(huì)上的一個(gè)重要活動(dòng)。本次論壇由中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)和中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院共同主辦。　　論壇上，瑞薩科技(中國(guó))汽車電子市場(chǎng)中心副總經(jīng)理?xiàng)顛槑V先生發(fā)表了主題為“瑞薩汽車電子的新潮流和最新半導(dǎo)體元器件”的演講，詳細(xì)講解了瑞薩在汽車電子領(lǐng)域新的發(fā)展方向和研發(fā)的最新半導(dǎo)體配件，同時(shí)為與會(huì)聽(tīng)眾介紹了瑞薩中國(guó)汽車事業(yè)基本發(fā)展戰(zhàn)略和瑞
關(guān)鍵字：汽車電子瑞薩廣州半導(dǎo)體汽車電子

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]