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3d 閃存 文章 最新資訊

長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)

  • 近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現(xiàn)場三期擴產(chǎn)與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業(yè)，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
  • 關鍵字： 長江存儲  半導體  3D NAND  晶棧  Xtacking  

Material公司的電池為每個角落提供電力

  • 動力強勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機、士兵的單兵背包、智能可穿戴設備，這些產(chǎn)品有著一個共同點：都需要電池供電。理想狀態(tài)下，電池能精準適配各類不規(guī)則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實現(xiàn)這一點。曾參與設計梅賽德斯 - AMG 馬石油車隊賽車、助力該車隊拿下七連冠的工程師 Gabe Elias，聯(lián)合創(chuàng)立了一家初創(chuàng)企業(yè)，推出電池 3D 打印技術 —— 可將電池直接打印在設備表面，填充各類設備和交通工具中的閑置空間。該公司近期與美國空軍簽下一份價值 125 萬美元、為期 18 個月的合同，旨
  • 關鍵字： Material  3D 打印  電池  

卷翻內(nèi)存市場 中國存儲廠商加速擴張產(chǎn)能

  • 全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場關注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。 然而，當?shù)匕雽w業(yè)界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產(chǎn)設備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產(chǎn)
  • 關鍵字： 內(nèi)存  存儲廠商  NAND  閃存  長江存儲  

芯?？萍歼M軍NOR閃存市場

  • 中國本土芯片企業(yè)芯?？萍迹–msemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發(fā)布旗下首款閃存產(chǎn)品CMS25Q40A，標志著公司正式且實質(zhì)性地進軍存儲半導體領域。據(jù)報道，該產(chǎn)品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的SPI接口NOR Flash芯片。其存儲陣列由2,048個可編程頁組成，每頁大小為256字節(jié)，單次寫入操作最大可編程數(shù)據(jù)量達256字節(jié)。該芯片支持多種擦除模式，具備成本低、功耗低、高速SPI讀寫性能以及斷電后數(shù)據(jù)可長期保存等優(yōu)勢，主要面向小容量存儲應用場景，包括嵌入式MCU程序存儲、小型智能
  • 關鍵字： 芯海科技  閃存  存儲  

三星閃存，漲價100%

  • 周樂/券商中國存儲芯片漲價潮愈演愈烈。據(jù)最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠超市場預期。目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。多家機構分析認為，AI浪潮驅動的“存儲芯片超級周期”正全面到來?；ㄆ祛A計，2026年動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）與閃存產(chǎn)品的平均售價或將分別上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預測的53%、44%。價格暴漲1月25日，據(jù)韓國《電子時報》報道，今年第一季度，三星電子將NAND
  • 關鍵字： 三星  閃存  漲價  

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

  • 援引市場研究機構Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產(chǎn)能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領的推理人工智能（AI）領域競爭日益激烈的背景下，作為關鍵組件的NAND閃存供應緊張，增加了包括服務器、個人電腦和移動設備在內(nèi)的所有領域價格持續(xù)上漲的可能性。分析師預測，這將對三星電子和SK海力士的
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  NAND  閃存  

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

  • 1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術研究主管 Paul Meeks 分析認為，全球科技企業(yè)對 AI 算力的狂熱需求，導致內(nèi)存市場供不應求，這種短缺狀態(tài)預計將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強大的供應鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
  • 關鍵字： 蘋果iPhone 18  原價  大容量版本  RAM 內(nèi)存  NAND 閃存  

傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術：用于400+層的第10代V-NAND閃存

  • 上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據(jù)TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預計總層數(shù)達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協(xié)議的談判。
  • 關鍵字： 三星  長江存儲  混合鍵合技術  NAND  閃存  

存儲還要繼續(xù)瘋！英偉達ICMSP讓閃存漲停，黃仁勛要一統(tǒng)存儲處理器

  • 英偉達推出全新推理上下文（Inference Context）內(nèi)存存儲平臺（ICMSP），通過將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標準化，解決KV緩存容量日益緊張的問題。該平臺于 2026 年國際消費電子展（CES 2026）正式發(fā)布，致力于將GPU的KV緩存（Key-Value Cache）擴展至基于 NVMe 的存儲設備，并獲得英偉達 NVMe 存儲合作伙伴的支持。此消息一出，引爆的是本就漲到高不可攀的存儲廠商股價，多家存儲廠商和閃存控制器廠商股價直接漲停，閃存極有可能步DRAM
  • 關鍵字： 存儲  英偉達  ICMSP  閃存  黃仁勛  存儲處理器  

Metalens 提升顯微 3D 打印精度

  • 借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術，科學家們開發(fā)出一種既能實現(xiàn)微觀細節(jié)又能實現(xiàn)高通量的新型3D打印技術。研究人員建議，他們的新技術有望實現(xiàn)復雜納米級結構的大規(guī)模生產(chǎn)。潛在應用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復雜微觀特征最精確的方法是雙光子光刻。該技術使用液態(tài)樹脂，只有當樹脂中的感光分子同時吸收兩個光子而非一個光子時才會凝固。 雙光子光刻技術使得體素——相當于像素的三維結構——體積僅幾十納米的器件成為可能。然而，雙光子光刻技術在大規(guī)模實際應用中被證明過于緩慢。這在很大程度上使其成為實驗
  • 關鍵字： 3D 打印  超構透鏡  超材料  雙光子光刻  

長江存儲對美國國防部、商務部發(fā)起訴訟

  • 據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態(tài)。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。
  • 關鍵字： 長江存儲  3D NAND  閃存  存儲器  

算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

  • 近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規(guī)則直接嵌入設計工具之中。 這一系列動作清晰地揭示了一個深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導體產(chǎn)業(yè)的競爭范式正從單一的制程競賽，轉向系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化。想要繼續(xù)提升性能、控制成本，就必須實現(xiàn)“工藝 + EDA + 設計”的深度協(xié)同，而
  • 關鍵字： 算力巨頭  EDA  晶圓廠  3D IC  

1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統(tǒng)成本與功耗

  • 如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統(tǒng)級芯片（SoC）。先進 SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I/O 結構，會增加 SoC 的芯片面積并提高成本。而具備 1.2V 輸入 / 輸出（VIO）特性的 NOR 閃存器件，既能降低成本，又能減少功耗。傳統(tǒng)外部閃存器件的供電電壓通常為 3.3V 或 1.8V，支持高速讀取、快速編程和快速擦除等高性能操作。若將這些器件與 1.2V SoC 搭配使
  • 關鍵字： NOR 閃存  節(jié)能  VIO  

今昔對比：磁芯

  • 我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現(xiàn)邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術從未進入商業(yè)領域，但在技術層面是可行的。1. 磁芯可以實現(xiàn)如上述簡單示例所示的邏輯。接下來，我們看看當時磁芯的使用情況，然后進入現(xiàn)在存儲領域的情況，磁芯最初使用的領域。許多記憶技術已經(jīng)興起又消失，新的技術不斷涌現(xiàn)。什么是磁芯磁芯是磁性材料，類似于鐵。磁場的方向可以用來存儲一個比特的信息。用于存儲的磁芯被安裝成網(wǎng)格狀，陣列中交錯排列
  • 關鍵字： 磁芯  內(nèi)存  閃存  

三星據(jù)報道將在研發(fā)部門調(diào)整中發(fā)布NAND技術，將削減96%的功耗

  • 在內(nèi)存供應緊張和價格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報道，三星開發(fā)出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動設備及廣泛應用的能效。據(jù)報道，11月27日，SAIT（前三星先進技術研究院）宣布將在《自然》雜志上發(fā)表其關于新型NAND閃存結構的研究，以顯著提升能源效率。據(jù)ETNews報道，三星首次在全球范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)了將氧化物半導體與鐵電結構結合的關鍵機制，從而將功耗降低了多達96%。正如報告所述，傳統(tǒng)NAND閃存存儲數(shù)據(jù)為注射電子進入每個細胞。因此，為了提
  • 關鍵字： NAND  閃存  SAIT  
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3d 閃存介紹

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