英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而言，這一消息清晰體現出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉換模塊；同時也凸顯出車企正愈發廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現電動汽車快充提速、續航提升等可量化的性能優化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統據官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
關鍵字：
英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X
英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業與能源系統設計的工程師而言，這一產品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅動器性能正不斷演
關鍵字：
英飛凌 IC SiC
在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等領域迎來功率需求爆發式增長的當下，熱管理已成為制約電源產品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業迫切需要兼具創新結構與卓越性能的解決方案。基于這樣的新應用需求，安森美（ONSemi）推出采用T2PAK 頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，將業界領先的碳化硅技術與突破性封裝設計深度融合，為汽車和工業高功率應用帶來性能與散熱的雙重飛躍，也折射出寬禁帶半導體行業的發展新方向。1? ?行業趨勢驅動：高功
關鍵字：
202601 MOSFET 安森美 熱管理
碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會認為
關鍵字：
英飛凌 MOSFET 柵極氧化層
在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2：“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp，電阻越小，產品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
關鍵字：
英飛凌 碳化硅 MOSFET
汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅動電機，并生成驅動電機運轉所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅動電機之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉換為交流電，進而精準調控電機的轉速、扭矩等關鍵運行參數。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實現更快的充電速度與更高的系
關鍵字：
SiC 電動汽車 高壓 逆變器 功率模塊
本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過
關鍵字：
安森美 功率電路 SiC JFET 熱插拔控制
本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電流、應對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關注的是發熱問題。 所有半導體在電流流過其中時都會產生熱量。 這種熱量可以用導通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當然，
關鍵字：
安森美 功率電路 固態斷路器 SiC JFET
輸配電系統與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發系統癱瘓。隨著電力系統電壓等級持續提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現的最大故障電流已達到前所未有的水平，對保護裝置的響應速度與耐受能力提出了更嚴苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關鍵需求。在過去很長一段時間里，機械斷路器（EMB）始終是這類保護場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應速度的要求不斷升級，傳統機械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態斷路器（SSCB
關鍵字：
安森美 固態斷路器 SiC JFET
全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創新與系統優化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業能源管理領域的發展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應用于電動汽車、充電基礎設施、可再生能源系統及工業功率轉換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關頻率與電壓下穩定運行的碳化硅（SiC）功率器件。
關鍵字：
Melexis 邁來芯 RC緩沖器 利普思 SiC
Onsemi與FORVIA HELLA延續了長期的戰略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA HELLA的先進汽車平臺，反映出高效且可擴展的電力設備在車輛電氣化中日益重要。這一公告具有相關意義，因為它強調了一級供應商和半導體廠商如何將功率半導體路線圖與新興汽車架構（包括分區設計和軟件定義車輛）對齊。它還為設備層面的漸進式改進如何影響未來車輛平臺的系統效率和成本目標提供了見解。Powe
關鍵字：
Onsemi FORVIA HELLA 汽車電子 MOSFET
簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲系統、電動汽車充電、電源、電機驅動、牽引逆變器、板載充電器、DC 對 DC 轉換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當下布局，引領未來市場豐富的 CoolSi
關鍵字：
英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 功率轉換
簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務器和太陽能等高頻開關應用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現了其在電池管理系統 (BMS) 中的優勢。關鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
關鍵字：
英飛凌 OptiMOS 6 MOSFET 電信 電池管理系統
Power SiC市場持續轉型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業現正進入調整周期。汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應鏈發生了轉變。 利用率下降、產能過剩和投資減少的循環引發了行業參與者的擔憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預計到2030年設備收入將接近100億美元。行業首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產能過剩。設備資本支出在2023年達到約30億美元的峰值，導致上游硅碳價值鏈出現顯著產能過剩。20
關鍵字：
SiC yole
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條sic mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473