全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產品。新封裝產品與車載低耐壓MOSFET中常見的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封裝產品相比，體積可以更小，通過采用鷗翼型引腳*1，還提高了其在電路板上安裝時的可靠性。另外，通過采用銅夾片鍵合*2技術，還能支持大電流。采用本封裝的產品已于2025年11月起陸續投入量產（樣品單價50
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ROHM MOSFET
Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠將低電壓升高到較高電壓。其基本原理是利用電感儲能和電容儲能的方式，通過開關管的開關控制，將輸入電壓進行短時間內的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過調整開關管的開關頻率和占空比，可以控制輸出電壓的大小和穩定性。開關電源的主要部件包括：輸入源、開關管、儲能電感、控制電路、二極管、負載和輸出電容。如果功率不是特別大，IC廠家會將開關管、控制電路、二極管集成到一顆電源管理芯片中，極大簡化了外部電路。按照是否集成MOSFET，可以將電源IC分類為轉換器、控制器。從集成
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Boost電路 工作過程 MOSFET 電源芯片
Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準備與電源模塊內的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反金屬化兼容燒結和焊接。該硅吸收器設計用于直流鏈路，最高可達1000伏直流，峰值可達1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據公司介紹，它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容，并在10nA附近表現出泄漏電流”?！坝卸喾NR和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω?！本唧w生產
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全硅 RC 緩沖器 碳化硅 MOSFET 電壓瞬變抑制
截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英偉達Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰略材料，預示著由高性能計算應用驅動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態上展現出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆?！恢痹谏蠞q。根據包括CIP
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硅質原材料 6英寸 SiC
?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領導者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術，專門設計用來解決高壓（72V 及更高）電池管理系統（BMS）中關鍵的安全與效率權衡問題。此新平臺為 BMS 放電開關的最重要安全指標——短路耐受能力（SCWC）——設定了業界基準。電動移動、無人機與專業電動工具中高壓電池組的普及帶來了高風險挑戰：在外部短路事件中防止災難性故障，此時電流可能激增至數千安培。放電 MOSFET 是唯一負責在這些極端條件下隔離電池組的元件?！霸诟吣芰?/li>
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iDEAL MOSFET 高壓電池
Source、Drain、Gate分別對應場效應管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1、 Drain-》Source穿通擊穿? ? ? &n
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MOS管 MOSFET 發熱
內容摘要400V SiC MOSFET技術可以實現更低的開關損耗和導通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務器應用的電源(PSU)中對其優勢進行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3.3kW的功率。該設備采用三電平飛跨電容圖騰柱PFC。文中討論了啟動期間對飛跨電容充電的注意事項。PSU的尺寸為72mmx40mmx192mm，在230VAC輸入電壓下，PSU總峰值效率超過97.6%，功率密度大于100W/in3。簡介服務器和電信應用的發展趨勢是功率密度不斷提高。例如，開
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英飛凌 MOSFET 服務器 人工智能
安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術及相關知識產權（IP）的授權交易。此項戰略交易增強了安森美的電源管理產品組合與路線圖，加速實現公司在人工智能（AI）數據中心應用中覆蓋從電網到核心的完整電源樹的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術領域擁有數十年的創新積累，為固態變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應用提供行業領先的解決方案。通過整合這些技術，安森美將成為少數幾家能夠以可擴展、實用的設計，滿足現代AI基礎設施嚴苛電力需求的公司
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安森美 奧拉 Vcore 碳化硅 SiC
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續）和455V（瞬態）的TOLL封裝新產品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優的熱性能、系統效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，涵蓋了AI服務器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機驅動、固態斷路器等領域。這款新產品可為這
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
各行業高功耗應用的快速增長對功率電子技術提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發揮著關鍵作用，而針對應用優化的設計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應用場景為核心的設計理念，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進一步擴展其現有的OptiMOS? 7汽車應用產品組合。新OptiMOS
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英飛凌 MOSFET
電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰，例如，如何在嚴苛環境條件下實現可靠運行、在應對瞬態過載時如何保持穩定性，以及如何優化整體系統性能。為應對這些挑戰，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現更優異的熱性能、
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英飛凌 MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。與以往封裝產品相比，新產品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產品的
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ROHM SiC MOSFET
●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數據中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執行官伊野和英（右）全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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英飛凌 羅姆 ROHM SiC功率器件 SiC
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發電、儲能系統及AI數據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現產品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環節的便利性。英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁 Peter
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羅姆 英飛凌 SiC
斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍被廣泛應用。與早期的熔斷器設計相比，斷路器具有顯著優勢 ——可重復使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導體技術的發展，固態斷路器正占據更大的市場份額。與硅基半導體相比，寬禁帶半導體開關在正常運行期間具有更低的通態損耗和更高的效率
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安森美 SiC JFET 固態斷路器
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