功率場(chǎng)效應(yīng)管

　　功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，具有自關(guān)斷能力，驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于 DC/DC 變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。　　功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：　　1．場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無需推動(dòng)級(jí)，電路較簡(jiǎn)單；　　2．輸入阻抗高，可達(dá)108Ω以上；　　3．工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗小；　　4．有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；　　5．功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。　　（1） 漏極擊穿電壓 BUD 是不使器件擊穿 漏 漏極擊穿電壓 BUD 的極限參數(shù)，它大于漏極電壓額定值。