功率場效應管
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,具有自關斷能力,驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz,特別適于高頻化電力電子裝置,如應用于 DC/DC 變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。 功率場效應管(MOSFET)與雙極型功率相比具有如下特點: 1.場效應管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件),因此在驅動大電流時無需推動級,電路較簡單; 2.輸入阻抗高,可達108Ω以上; 3.工作頻率范圍寬,開關速度高(開關時間為幾十納秒到幾百納秒),開關損耗小; 4.有較優(yōu)良的線性區(qū),并且場效應管(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多,所以它的交流輸入阻抗極高;噪聲也小,最合適制作Hi-Fi音響; 5.功率場效應管(MOSFET)可以多個并聯(lián)使用,增加輸出電流而無需均流電阻。 (1) 漏極擊穿電壓 BUD 是不使器件擊穿 漏 漏極擊穿電壓 BUD 的極限參數(shù),它大于漏極電壓額定值。查看更多>>