EEPW
技術應用
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在: 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應用程序對NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對N AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。
HBM4競爭格局生變
長江存儲進入加速期,三期項目計劃今年建成投產
國產半導體設備加速崛起
上調100%!存儲市場又一重磅調價信號
插混車型成為“突破口”:中國車企在歐洲市場的銷量再創新高
2026-02-13 XMOS 語音交互
2026-02-13 英飛凌 陽光電源
2026-02-13 Ceva Wi-Fi 6 IP 藍牙IP 瑞薩 組合式MCU
2026-02-13 測試測量 Pickering 信號開關與仿真
2026-02-13 羅蘭貝格 Jonas Andrulis 人工智能應用
2026-02-13 應用材料公司 2026財年第一季度
2026-02-13 平板市場 國補 換機
2026-02-13 PCB
2026-02-13 PCB 硅谷
2026-02-13 安世半導體 聞泰科技
NANDFlash