EEPW
技術應用
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 : positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。
HBM4競爭格局生變
長江存儲進入加速期,三期項目計劃今年建成投產
國產半導體設備加速崛起
上調100%!存儲市場又一重磅調價信號
插混車型成為“突破口”:中國車企在歐洲市場的銷量再創新高
2026-02-13 XMOS 語音交互
2026-02-13 英飛凌 陽光電源
2026-02-13 Ceva Wi-Fi 6 IP 藍牙IP 瑞薩 組合式MCU
2026-02-13 測試測量 Pickering 信號開關與仿真
2026-02-13 羅蘭貝格 Jonas Andrulis 人工智能應用
2026-02-13 應用材料公司 2026財年第一季度
2026-02-13 平板市場 國補 換機
2026-02-13 PCB
2026-02-13 PCB 硅谷
2026-02-13 安世半導體 聞泰科技
PMOS