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單向可控硅

可控硅是一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管(Thyristor)。又由于晶閘管最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。可控硅是一種大功率半導體器件，它能控制較大的電流和功率，用來進行電機調速、電鍍、電解、充電、勵磁、恒溫、調壓、穩壓、無觸點開關、變頻等作用。 可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖1所示。

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