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鐵電存儲器

  鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度,像工業標準的串行和并行接口,工業標準的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。  首先要說明的是鐵電存儲器和浮動柵存儲器的技術差異。現有閃存和EEPROM都是采用浮動柵技術,浮動柵存儲單元包含一個電隔離門,浮動柵位于標準控制柵的下面及通道層的上面。

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