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鐵電存儲器

　　鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度，像工業標準的串行和并行接口，工業標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。　　首先要說明的是鐵電存儲器和浮動柵存儲器的技術差異?，F有閃存和EEPROM都是采用浮動柵技術，浮動柵存儲單元包含一個電隔離門，浮動柵位于標準控制柵的下面及通道層的上面。

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