EEPW
技術應用
在半導體行業,EUV一般指EUV光刻,即極紫外光刻。 極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的光刻技術。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13。5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
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EUV