EEPW
技術(shù)應(yīng)用
MLC NAND 目錄 1定義 2MLC芯片特點(diǎn) 3與SLC對比 1定義 MLC 全稱為Multi-Level Cell,多層單元閃存,MLC通過使用大量的電壓等級,每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較高。 一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3,000次[1] 。這一點(diǎn)與SLC得100,000的擦除次數(shù)有不小的差異。 2MLC芯片特點(diǎn) 1、傳輸速率:由于MLC芯片技術(shù)所限,目前市面上的MP3如果采用了高速USB接口,同樣的Mp3出現(xiàn)傳輸速度相差比較大的,比如Rockchip主控芯片寫入速度可以超過3MB/s,如果有的品牌產(chǎn)品只有1M多,不超過2MB,就有可能采用MLC芯片。
HBM4競爭格局生變
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