EEPW
技術(shù)應(yīng)用
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR。 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很大的區(qū)分,NAND規(guī)格晶片寫入與清除資料的速度遠快于NOR規(guī)格,但是NOR規(guī)格晶片在讀取資料的速度則快于NAND規(guī)格。NAND規(guī)格晶片多應(yīng)用在小型記憶卡,以儲存資料為主,NOR規(guī)格則多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中。
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NAND NAND閃存 Nand/Nor Nand-Flash V-NAND NANDFlash