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VMOS

V形槽金屬氧化物半導(dǎo)體；垂直溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 V-notch MOS 　　為了適合大功率運(yùn)行，于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，即VMOS管。 　　VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效，功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)，驅(qū)動(dòng)電流小(左右0。

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